[發(fā)明專利]一種表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811521718.X
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109375300A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉娟;胡金鳳;劉彬
• 申請（專利權(quán)）人: 南昌航空大學(xué)
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00;G02B6/122;G02F1/35
• 代理公司: 南昌市平凡知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 36122
• 代理人: 許艷

1.一種表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法，包括背景、波導(dǎo)、第一短腔和第二短腔；其特征在于，所述背景的中部對稱設(shè)置有所述波導(dǎo)，所述波導(dǎo)之間設(shè)置有所述第一短腔和第二短腔，且第一短腔和第二短腔自左向右并肩排列，第一短腔和第二短腔之間設(shè)置有間隔，第一短腔與左側(cè)波導(dǎo)以及第二短腔與右側(cè)波導(dǎo)之間的水平距離相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法，其特征在于，所述背景的材料為銀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法，其特征在于，所述波導(dǎo)為金屬-絕緣體-金屬波導(dǎo)，絕緣體的材料為熔融石英，介電常數(shù)為2.31。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法，其特征在于，所述第一短腔和第二短腔為表面等離子體激元微腔；第一短腔為引入非線性有機(jī)聚合物的非線性腔；第二短腔為線性腔。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法，其特征在于，所述非線性有機(jī)聚合物為非線性Kerr材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面等離子體激元全光二極管實現(xiàn)方法，其特征在于，所述非線性Kerr材料的介電常數(shù)ε_c取決于電場的強(qiáng)度|E²|：ε_c＝ε₀+χ⁽³⁾|E²|；線性介電常數(shù)ε₀的值也是2.31，典型的三階非線性磁化率是χ⁽³⁾＝1.4×10^-7esu≈1×10^-15m²/V²。