[發(fā)明專利]發(fā)送器與相關(guān)后置補(bǔ)償系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811519315.1
• 申請(qǐng)日: 2018-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN110166062B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高碩廷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 円星科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H04B1/04
• 分類號(hào): H04B1/04;H04B17/15
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

一種后置補(bǔ)償系統(tǒng)包含：一狀態(tài)檢測(cè)器、一同步檢測(cè)器以及一補(bǔ)償產(chǎn)生器。該狀態(tài)檢測(cè)器接收一數(shù)據(jù)在線的一訊號(hào)以檢測(cè)一預(yù)定義的狀態(tài)，并相應(yīng)地產(chǎn)生一清除控制訊號(hào)，當(dāng)檢測(cè)到該預(yù)定義的狀態(tài)時(shí)，該清除控制訊號(hào)被拉起。該同步檢測(cè)器接收該數(shù)據(jù)在線的該訊號(hào)以檢測(cè)至少一同步狀態(tài)，并相應(yīng)地產(chǎn)生一觸發(fā)訊號(hào)。該補(bǔ)償產(chǎn)生器接收該觸發(fā)訊號(hào)，以及相應(yīng)地產(chǎn)生一補(bǔ)償訊號(hào)。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明關(guān)于發(fā)送器，尤指一種適用于發(fā)送器的物理層兼容性測(cè)試的后置補(bǔ)償系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】

由行動(dòng)產(chǎn)業(yè)處理器界面(Mobile Industry Processor Interface,MIPI)聯(lián)盟開發(fā)的M-PHY規(guī)范，支持高達(dá)11.6Gbits/秒的高速數(shù)據(jù)傳輸速率。高速訊號(hào)通過(guò)背板(backplane)的傳送會(huì)受到高頻損耗，這將嚴(yán)重地破壞訊號(hào)內(nèi)容。具體而言，當(dāng)高速訊號(hào)通過(guò)背板傳送時(shí)，當(dāng)前符元(symbol)可延展到相鄰區(qū)間，例如，延伸到后續(xù)區(qū)間(interval)，從而引起可能會(huì)干擾相鄰符元的后置衰退(post-cursor degradation)。因此，有必要為此設(shè)計(jì)和測(cè)試一發(fā)送器，其具最小的后置效應(yīng)(minimized effects of post-cursor)，使得對(duì)應(yīng)的接收器能夠可靠且正確地接收訊號(hào)。

針對(duì)高速傳輸，M-PHY規(guī)范定義了四種速度等級(jí)或設(shè)備(亦即，從低速至高速的gear 1到gear 4)。圖1繪示在高速突沖模式(high-speed burst mode，以下稱HS-BURST)之下，系統(tǒng)100對(duì)發(fā)送器(如gear 3等級(jí)的發(fā)送器) 進(jìn)行測(cè)試。發(fā)送器接受兼容性隨機(jī)型樣(compliance random pattern,簡(jiǎn)稱 CRPAT)以進(jìn)行測(cè)試。舉例來(lái)說(shuō)，一待測(cè)裝置11，例如符合M-PHY規(guī)范的發(fā)射器(規(guī)范中稱之為M-TX)，透過(guò)一對(duì)訊號(hào)線傳送一對(duì)差動(dòng)訊號(hào)。訊號(hào)通過(guò)背板(例如封裝體(package)和印刷電路板(printed circuit board)12) 傳送。之后，訊號(hào)再透過(guò)參考信道13(如，CH1以及CH2)13傳送，上述參考信道可為實(shí)體或軟件仿真的信道。最后，系統(tǒng)100還包含跨接于該對(duì)訊號(hào)線的終端電阻14。終端電阻14的阻抗實(shí)質(zhì)上等于從接收端看進(jìn)去的阻抗。

預(yù)加重(Pre-emphasis)處理通常可被用來(lái)增加較高頻率成分的訊號(hào)幅度，以便減少訊號(hào)于上述參考信道13因衰退失真的影響，進(jìn)而提高整體信噪比。

根據(jù)M-PHY規(guī)范，定義一個(gè)HS-BURST模式操作系以DIF-P狀態(tài)為起始，該DIF-P狀態(tài)系由連續(xù)的“1”所組成，其長(zhǎng)度為十五個(gè)或更少的符元，隨后是一個(gè)同步(synchronization,SYNC)狀態(tài)。在M-PHY兼容性測(cè)試中， SYNC狀態(tài)中的第一個(gè)“0”通常遭受由DIF-P狀態(tài)引起的后置符際干擾 (post-cursor inter-symbol interference)所影響，其中符際干擾以下簡(jiǎn)稱ISI。 ISI的起因可能包含發(fā)送器和接收器之間的通道損失(channel loss)。圖1B示范了后置ISI引起的訊號(hào)衰退的波形(由圖1B的標(biāo)號(hào)15所標(biāo)示)。這個(gè)衰退可以透過(guò)圖1C圖所示的眼圖中的眼高衰退(由標(biāo)示16所表示)所觀察出。

因此，本發(fā)明提出一種創(chuàng)新的補(bǔ)償架構(gòu)，從而將DIF-P狀態(tài)引起的后置衰退將達(dá)最小化，以進(jìn)一步改善眼圖。

【發(fā)明內(nèi)容】

有鑒于前述內(nèi)容，本發(fā)明實(shí)施例之一目的在于提供一種適用于MIPI M-PHY兼容性測(cè)試的發(fā)送器。本發(fā)明之發(fā)送器中采用的后置補(bǔ)償 (post-cursor compensation)系統(tǒng)能夠有效地將后置衰退最小化，特別是與 DIF-P狀態(tài)有關(guān)的后置衰退。