[發明專利]用于制作帶有側壁凹陷的半導體器件的方法及相關器件

有效

• 申請號: 201811519117.5
• 申請日: 2015-12-24
• 公開（公告）號: CN110010489B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: J·塔利多
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種用于制作半導體器件的方法，所述方法包括：

提供在其中具有凹陷的引線框；

在所述引線框的所述凹陷內形成水溶性犧牲材料，所述水溶性犧牲材料具有頂表面和相對的底表面，在形成所述水溶性犧牲材料后，所述水溶性犧牲材料的頂表面與所述引線框的頂表面共面，并且所述水溶性犧牲材料的底表面接觸所述引線框中的所述凹陷的底表面；

在所述引線框上安裝集成電路IC；

利用包封材料對所述IC和所述引線框進行包封，所述包封材料不同于所述水溶性犧牲材料；

去除所述引線框的多個部分以限定用于所述IC的多個引線框觸點，每個引線框觸點包括從其上部區域向內延伸的模具錨固接片；以及

去除所述水溶性犧牲材料以針對每個引線框觸點來限定焊料錨固接片，所述焊料錨固接片在其下部區域處向外延伸，并且在所述焊料錨固接片與所述包封材料的相對部分之間限定側壁凹陷。

2.如權利要求1所述的方法，其中，去除所述引線框的多個部分包括：通過在所述凹陷處劃切所述引線框來使所述IC單片化。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述水溶性犧牲材料包括聚合物。

4.如權利要求1所述的方法，進一步包括形成多條鍵合接線，每條鍵合接線將對應的引線框觸點與所述IC相耦接。

5.如權利要求1所述的方法，進一步包括在所述焊料錨固接片上形成鍍層。

6.如權利要求1所述的方法，其中，包封包括：形成所述包封材料來圍繞所述模具錨固接片。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述引線框限定IC裸片焊盤，所述IC裸片焊盤具有從其上部區域向外延伸的多個模具錨固接片。

8.一種半導體器件，包括：

集成電路IC；

IC裸片焊盤，支撐所述IC；

第一引線框觸點，所述第一引線框觸點包括與所述IC裸片焊盤相鄰的內部部分、遠離所述IC裸片焊盤而延伸的外部部分、以及在所述內部部分和所述外部部分之間的中央部分，其中所述內部部分包括具有第一厚度的模具錨固接片，所述外部部分包括具有第二厚度的焊料錨固接片，并且所述中央部分包括第三厚度，所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度；以及

包封材料，圍繞所述IC、并且覆蓋所述第一引線框觸點的主表面，其中所述焊料錨固接片的外側表面與所述包封材料的外側表面共面，所述焊料錨固接片的外側表面通過所述第一引線框觸點的側壁凹陷與所述包封材料的外側表面在相同的平面內空間分隔，以及

其中，所述焊料錨固接片的外側表面可焊接至電路板。

9.如權利要求8所述的半導體器件，進一步包括：

鍵合接線，被耦接在所述第一引線框觸點和所述IC之間。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述包封材料被布置在所述內部部分和所述IC裸片焊盤之間。

11.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述模具錨固接片包括與所述IC裸片焊盤的上表面共面的上表面。

12.如權利要求8所述的半導體器件，進一步包括所述電路板和焊料本體，所述電路板包括觸點，所述焊料本體圍繞所述焊料錨固接片、并且將所述電路板的觸點和所述第一引線框觸點相耦接。

13.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第一引線框觸點包括在所述焊料錨固接片上的鍍層。

14.如權利要求13所述的半導體器件，其中，所述鍍層包括錫鍍層。