[發明專利]一種減小鍺磨削片彎曲度的加工方法有效
| 申請號： | 201811517794.3 | 申請日： | 2018-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN109352430B | 公開（公告）日： | 2020-12-04 |
| 發明（設計）人： | 何遠東;韓煥鵬;王雄龍;張偉才;趙權;楊洪星;陳晨;楊靜;李明佳 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十六研究所 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 王鳳英 |
| 地址： | 300220*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 磨削 彎曲 加工 方法 | ||
1.一種減小鍺磨削片彎曲度的加工方法，其特征在于，依次進行背面順磨磨削、貼膜、正面逆磨磨削、去膜、化學腐蝕加工工序，其具體步驟如下：
步驟一、測試鍺單晶片（ 1） 原始厚度為W0，將鍺單晶片（ 1） 正面向下吸附于轉臺（ 2）上，磨削砂輪（ 3） 軸向進給對鍺單晶片背面進行順磨磨削，減薄至厚度為W1；
步驟二、在鍺單晶片（ 1） 背面貼合相同大小的UV膜；
步驟三、將貼膜的鍺單晶片（ 1） 背面向下吸附于轉臺（ 2） 上，磨削砂輪（ 3） 軸向進給對鍺單晶片正面進行逆磨磨削，減薄至目標厚度為W2；
步驟四、采用紫外燈照射的方法去膜；
步驟五、將鍺單晶磨削片于酸腐蝕液中浸泡進行化學腐蝕，沖水甩干后即得到彎曲度小的鍺單晶磨削片；
鍺磨削片的背面順磨磨削減薄厚度滿足7μm≤（W0-W1）≤11μm；
鍺磨削片的正面逆磨磨削減薄滿足15μm≤（W1-W2）≤19μm；
酸腐蝕液由96～98%濃度的硫酸、30～32%濃度的雙氧水及去離子水配制而成；硫酸、雙氧水、去離子水的體積比為（3～5）:（1.2～1.5）:1；腐蝕溫度為60～65℃；腐蝕時間為5～7min，為鍺磨削片去除量為1～3μm。
2.根據權利要求1所述的一種減小鍺磨削片彎曲度的加工方法，其特征在于，磨削砂輪型號為800～2000#；磨削砂輪轉速為3000～5500RPM；磨削砂輪軸向進給速率為0.1～0.7μm/s。
3.根據權利要求1所述的一種減小鍺磨削片彎曲度的加工方法，其特征在于，去離子水壓力為0.1～0.3Mpa，去離子水流量為2～5L/min。
4.根據權利要求1所述的一種減小鍺磨削片彎曲度的加工方法，其特征在于，UV膜選擇中粘性低溫的UV膜。
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