[發明專利]碳化硅晶圓片及其制造方法

在審

• 申請號: 201811517736.0
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN111192833A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 賀冠中
• 申請（專利權）人: 深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

1.一種碳化硅晶圓片的制造方法，包括以下步驟：

步驟S01.提供碳化硅晶圓；

步驟S02.在所述碳化硅晶圓正面沉積形成一層緩沖膜層；

步驟S03.在所述緩沖膜層表面沉積形成一層不透明膜層；

步驟S04.在所述不透明膜層表面進行光刻膠的涂覆處理，獲得一層光刻膠層；

步驟S05.對所述光刻膠層進行曝光、顯影處理，保留所述不透明膜層邊緣區域的光刻膠層；

步驟S06.對所述不透明膜層中無光刻膠層保護的區域進行刻蝕處理，使所述緩沖膜層不被光刻膠層保護的區域露出；

步驟S07.去除不被光刻膠保護區域部位的緩沖膜層；

步驟S08.去除所述不透明膜層邊緣區域的光刻膠層。

2.如權利要求1所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，沉積形成的所述緩沖膜層的厚度為50埃～5000埃。

3.如權利要求1所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，沉積形成的所述不透明膜層的厚度為500埃～10000埃。

4.如權利要求3所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，所述不透明膜層的材料選自硅化鎢、氮化鈦、鈦中的至少一種；

和/或所述緩沖膜層為二氧化硅膜層或氮化硅膜層。

5.如權利要求1所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，所述光刻膠為正性光刻膠或者負性光刻膠。

6.如權利要求1所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，保留的所述不透明膜層邊緣區域的光刻膠層的寬度為2mm～10mm。

7.如權利要求1所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅膜層的去除方式為采用氫氟酸腐蝕的方式。

8.如權利要求1所述的碳化硅晶圓片的制造方法，其特征在于，所述光刻膠層的曝光處理為采用步進式曝光機或接近式曝光機或接觸式曝光機。

9.一種碳化硅晶圓片，其特征在于，包括碳化硅晶圓、疊設于所述碳化硅晶圓正面邊緣區域的緩沖膜層及疊設于所述緩沖膜層表面的不透明膜層。

10.如權利要求9所述的碳化硅晶圓片，其特征在于，所述緩沖膜層的厚度為50埃～5000埃，寬度為2mm～10mm；所述不透明膜層的厚度為500埃～10000埃。