[發明專利]一種在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法

在審

• 申請號: 201811517604.8
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN109338301A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 趙弘韜;張玉寶;李志剛;張楠;斯琴圖雅;李巖;趙孝文;高娃;李金鳳
• 申請（專利權）人: 黑龍江省科學院技術物理研究所
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/34
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

1.一種在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法，其特征在于在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法是按以下步驟進行的：

一、清洗Al₂O₃陶瓷片：依次用丙酮、酒精和去離子水各超聲清洗Al₂O₃陶瓷片15min～20min，然后烘干；

二、放置Al₂O₃陶瓷片：靶材為鉭，將步驟一中清洗干凈的Al₂O₃陶瓷片置于磁控濺射腔室內，設置Al₂O₃陶瓷片與靶材的距離為80mm～110mm；

三、真空熱處理：對腔體進行抽真空至5×10^-4Pa，然后開啟加熱裝置，將腔體加熱到100℃～250℃，溫度穩定后進行保溫；

四、反濺清洗：設置負偏壓為600V～800V進行偏壓反濺清洗20min～30min；

五、濺射：通入氬氣與氮氣的混合氣體，混合氣體的流量為50SCCM～60SCCM，開啟直流電源，調節功率至100W～200W，預濺射2min～3min；開啟樣品臺旋轉，轉速為10RPM～20RPM；打開擋板，同時維持腔體內氣壓為0.3Pa～2Pa，進行TaN的薄膜生長，生長時間為30min～90min，關閉功率電源，樣品隨爐冷卻；所述的混合氣體中氮氣流量/混合氣體的流量為2.5％～30％。

2.根據權利要求1所述的一種在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法，其特征在于步驟一中依次用丙酮、酒精和去離子水各超聲清洗Al₂O₃陶瓷片15min。

3.根據權利要求1所述的一種在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法，其特征在于步驟一中所述的Al₂O₃陶瓷片中氧化鋁的含量為96％。

4.根據權利要求1所述的一種在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法，其特征在于步驟五中所述的混合氣體中氮氣流量/混合氣體的流量為2.5％。

5.根據權利要求1所述的一種在氧化鋁陶瓷基底上制備氮化鉭薄膜的方法，其特征在于步驟五中所述的混合氣體中氮氣流量/混合氣體的流量為5％。