[發(fā)明專利]臥式電加熱設備固態(tài)純凈物側面收集裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811517580.6
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN110655084A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 黃超斌;成友為
• 申請（專利權）人: 株洲諾天電熱科技有限公司
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 43232 株洲湘知知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 王宏

臥式電加熱設備固態(tài)純凈物側面收集裝置，為臥式電加熱側面收集系統(tǒng)，包括臥式電加熱設備、收集裝置、移動裝置，臥式電加熱設備的側面為一端或兩端開口，在每一個開口端連接有可移動的收集裝置，收集裝置與臥式電加熱設備側向連接在一起，收集裝置安裝在移動裝置上，通過移動實現(xiàn)與臥式電加熱設備的連接或分離。本發(fā)明采取臥式電加熱設備從側面收集固態(tài)純凈物，有利于電磁爐內(nèi)的坩堝進出，方便操作，還可以有效利用升華物質(zhì)單體的側向移動實現(xiàn)升華與冷凝收集的分區(qū)處理，利用升華后的冷凝可以大幅提升固態(tài)純凈物的純度，實現(xiàn)高純度、高效的固態(tài)純凈物回收。

技術領域

本發(fā)明涉及到物質(zhì)熔煉和收集方法，尤其是指各種固態(tài)純凈物（如硅、鎂、釩等）提純或細化的收集裝置，該種固態(tài)純凈物（如硅、鎂、釩等）熔煉貨哦細化的收集裝置可以有效提高固態(tài)純凈物的收集效率及程度；屬于固態(tài)純凈物熔煉的收集技術領域。

背景技術：

我國的單質(zhì)硅生產(chǎn)已由來已久，隨著國家能源政策的收緊和節(jié)能減排的開展，以及對新能源的提倡，單質(zhì)硅冶煉已經(jīng)成為初級的產(chǎn)品和工藝，很多國內(nèi)新興的能源企業(yè)建設了單質(zhì)硅，多晶硅，單晶硅，太陽能電池等一系列的循環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈條，未來幾年勢必會影響我國整個能源領域的發(fā)展和新能源的應用。

現(xiàn)在的單質(zhì)硅冶煉工藝及流程都是通過立式的單質(zhì)硅熔煉爐進行加工的，單質(zhì)硅熔煉爐即單質(zhì)硅中頻熔煉爐，是將高純石墨坩堝垂直放入單質(zhì)硅中頻熔煉爐內(nèi)，利用磁場對高純石墨坩堝感應加熱到1650-1750度，由高純石墨坩堝作為發(fā)熱體對單質(zhì)硅加熱、熔化來進行單質(zhì)硅冶煉。但是現(xiàn)在的單質(zhì)硅熔煉爐普遍都是采用立式的，而采用立式單質(zhì)硅熔煉爐來收集單質(zhì)硅，需要從爐頂放入和取出，存在效率不高，操作復雜等不足，很有必要對此加以研究。

通過專利檢索沒發(fā)現(xiàn)有與本發(fā)明相同技術的專利文獻報道，與本發(fā)明有一定關系的專利主要有以下幾個：

1、專利號為CN201810323986.4，名稱為“一種納米亞微米球形硅粉的生產(chǎn)方法”，申請人為：天水佳吉化工有限公司的發(fā)明專利，該專利公開了一種納米亞微米硅粉的生產(chǎn)方法。納米球形硅大量用于高能量密度鋰離子電池硅碳負極材料，提高鋰離子電池能量比，為解決目前納米硅粉生產(chǎn)方法單產(chǎn)效率低，成本高，品質(zhì)低，特別是高能量密度鋰離子電池硅碳負極材料中硅材料的納米化問題，提供一種新型高溫氣化物理生產(chǎn)方法。該方法選用多晶硅、單晶硅或金屬硅粉為原料，經(jīng)電力加熱-激光復合加熱，高溫氣化，硅蒸氣高溫生長，冷卻、收集，得到納米級或亞微米級的球形硅粉。采用該工藝可生產(chǎn)出高純度，高品質(zhì)納米硅粉，粒徑在納米級(5nm～100nm)，亞微米級(0.1μm～1.0μm)，粒度可精準控制。

2、專利號為CN200710196562，名稱為“特別用于金屬硅/二氧化硅的真空純化爐及純化方法”，申請人為：晶湛（南昌）科技有限公司的發(fā)明專利，該專利公開了一種用于金屬硅/二氧化硅的真空純化爐，包括用于盛裝金屬硅/二氧化硅的并具有外壁的坩鍋、以及加熱坩鍋且至少包括用于控制坩鍋溫度的溫控系統(tǒng)的加熱系統(tǒng)，真空純化爐能被抽真空并能填充有惰性氣體或氧氣，其特征是，溫控系統(tǒng)包括布置在外壁的至少一部分上的多個加熱件以及與多個加熱件連接的計算機系統(tǒng)，多個加熱件沿坩鍋的一個方向被分成若干組，計算機系統(tǒng)按照以下方式控制每組加熱件，對于在該方向上位于最前方的第一組加熱件和坩鍋內(nèi)熔液的、對應于第一組加熱件的第一區(qū)域來說，第一組加熱件在第一區(qū)域的冷卻凝固過程中繼續(xù)加熱第一區(qū)域的周邊部分。該專利還涉及利用上述真空純化爐純化金屬硅/二氧化硅的方法。

3、專利號為CN201621413960.1， 名稱為“一種改進的中頻感應加熱設備”，申請人為：上海杉杉科技有限公司的實用新型專利，該專利公開了一種改進的中頻感應加熱設備，其特征在于，所述的真空爐殼體的中心軸線與真空爐殼體的安裝地面的夾角為1～10°；位于石墨坩堝的中心軸線下部的石墨坩堝的至少開口端側設有石墨擋板；在石墨坩堝的開口端的端面上罩設有收集器，所述的收集器呈圓臺筒形，且與石墨坩堝連接處的收集器的開口端的直徑大于收集器的尾端的直徑。