[發(fā)明專利]一種抑制閃爍噪聲上變頻過程的壓控振蕩器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811516669.0 | 申請日： | 2018-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN111313836B | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧曉東;丁萬新;楊峰;陶晶晶;陳東坡 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海川土微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03B1/04 | 分類號： | H03B1/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 上海宏京知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 崔巍 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 抑制 閃爍 噪聲 變頻 過程 壓控振蕩器 | ||
1.一種抑制閃爍噪聲上變頻過程的壓控振蕩器，其特征在于，所述振蕩器包括與數(shù)字控制字輸出端口連接的數(shù)字控制負(fù)阻單元、并聯(lián)開關(guān)變?nèi)莨荜嚵小⒅C振腔并聯(lián)電容陣列，與數(shù)字控制負(fù)阻單元連接的固定負(fù)阻單元、諧振腔并聯(lián)電感，所述數(shù)字控制負(fù)阻單元還與諧振腔并聯(lián)電容陣列連接；
所述數(shù)字控制負(fù)阻單元為一組MOS管陣列，所述MOS管陣列包括31個NMOS管和31個PMOS管；
所述諧振腔并聯(lián)電容陣列和并聯(lián)開關(guān)變?nèi)莨荜嚵蟹謩e由255個MIM電容和變?nèi)莨芙M成；
所述固定負(fù)阻單元包括兩個PMOS管M1和M2，兩個NMOS管M3和M4；
所述數(shù)字控制負(fù)阻單元的PMOS管的源極與電源連接，NMOS管的源極接地，數(shù)字控制負(fù)阻單元的右半部分PMOS管的柵極與PMOS管M2的柵極、諧振腔并聯(lián)電容陣列下端、諧振腔并聯(lián)電感下端、數(shù)字控制負(fù)阻單元的左半部分PMOS管的漏極連接，數(shù)字控制負(fù)阻單元的右半部分PMOS管的漏極與諧振腔并聯(lián)電容陣列上端、諧振腔并聯(lián)電感上端、PMOS管M1的柵極、數(shù)字控制負(fù)阻單元的左半部分PMOS管的柵極連接；數(shù)字控制負(fù)阻單元的右半部分NMOS管的柵極與NMOS管M4的柵極、諧振腔并聯(lián)電容陣列下端、諧振腔并聯(lián)電感下端、數(shù)字控制負(fù)阻單元的左半部分NMOS管的漏極連接，數(shù)字控制負(fù)阻單元的右半部分NMOS管的漏極與諧振腔并聯(lián)電容陣列上端、諧振腔并聯(lián)電感上端、NMOS管M3的柵極、數(shù)字控制負(fù)阻單元的左半部分NMOS管的柵極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制閃爍噪聲上變頻過程的壓控振蕩器，其特征在于：所述數(shù)字控制字輸出端口分別輸出5bit和8bit的數(shù)字控制字。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抑制閃爍噪聲上變頻過程的壓控振蕩器，其特征在于：所述數(shù)字控制字輸出端口輸出的5bit的數(shù)字控制字引入數(shù)字控制負(fù)阻單元的NMOS管和PMOS管的漏極，8bit的數(shù)字控制字引入諧振腔并聯(lián)電容陣列和并聯(lián)開關(guān)變?nèi)莨荜嚵小?/p>
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