[發(fā)明專利]具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811516618.8
• 申請(qǐng)日: 2018-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111312817B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王智億;邱誠(chéng)樸;魏偟任;許田昇;曾紀(jì)昇;王堯展
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

基底；

鰭部，位于該基底上，該鰭部的長(zhǎng)度方向?yàn)榈谝环较?；以?/p>

柵極，位于該基底上且橫跨該鰭部，該柵極的長(zhǎng)度方向?yàn)榈诙较颍渲性摉艠O分為位于該鰭部的頂面上的上半部以及位于該鰭部的兩側(cè)的下半部，該柵極的該下半部在鄰接該鰭部的位置處具有往該第一方向側(cè)向延伸的突起部，其中該突起部的頂面與該柵極的該下半部的頂面齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該鰭部?jī)H位于該柵極一側(cè)，該柵極的該下半部?jī)H在有該鰭部的一側(cè)具有該突起部，沒(méi)有該鰭部的另一側(cè)不具有該突起部。

3.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該鰭部具有斷開(kāi)的切槽部位，而該柵極的一側(cè)鄰近該切槽部位，該柵極的另一側(cè)不鄰近該切槽部位，在所述第一方向上往鄰近的該切槽部位突出的該突起部的突起程度大于未往鄰近的該切槽部位突出的該突起部的突出程度。

4.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極的該下半部在該第一方向上的寬度大于該柵極的該上半部在該第一方向上的寬度。

5.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極的寬度不論在第一方向上或是第二方向上都從該下半部往該上半部漸縮。

6.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極為虛設(shè)柵。

7.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極的材料為多晶硅。

8.如權(quán)利要求1所述的具有特殊柵極外型的鰭式場(chǎng)效晶體管結(jié)構(gòu)，其中該鰭部的材料為硅。

9.一種半導(dǎo)體立體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

基底；

鰭部，位于該基底上，該鰭部的長(zhǎng)度方向?yàn)榈谝环较?；以?/p>

柵極，位于該基底上且橫跨該鰭部，該柵極的長(zhǎng)度方向?yàn)榈诙较?，其中該柵極分為位于該鰭部的頂面上的上半部以及位于該鰭部的兩側(cè)的下半部，該柵極的該下半部在鄰接該鰭部的位置處具有往該第一方向側(cè)向延伸的突起部，其中該突起部的頂面與該柵極的該下半部的頂面齊平。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體立體結(jié)構(gòu)，其中該鰭部?jī)H位于該柵極一側(cè)，該柵極的該下半部?jī)H在有該鰭部的一側(cè)具有該突起部，沒(méi)有該鰭部的另一側(cè)不具有該突起部。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體立體結(jié)構(gòu)，其中該鰭部具有斷開(kāi)的切槽部位，而該柵極的一側(cè)鄰近該切槽部位，該柵極的另一側(cè)不鄰近該切槽部位，在所述第一方向上往鄰近的該切槽部位突出的該突起部的突起程度大于未往鄰近的該切槽部位突出的該突起部的突出程度。

12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體立體結(jié)構(gòu)，其中該柵極的該下半部在該第一方向上的寬度大于該柵極的該上半部在該第一方向上的寬度。

13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體立體結(jié)構(gòu)，其中該柵極的寬度不論在第一方向上或是第二方向上都從該下半部往該上半部漸縮。

14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體立體結(jié)構(gòu)，其中該柵極為虛設(shè)柵。