[發明專利]制造相變化記憶體的方法

有效

• 申請號: 201811516556.0
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN109509835B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 楊子澔;張明豐
• 申請（專利權）人: 北京時代全芯存儲技術股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制造相變化記憶體的方法，其特征在于，包含：

形成一結構，該結構包含：

一底電極；

一介電層，位于該底電極上方；

一隔離層，位于該介電層上方，并具有一開口貫穿該隔離層；以及

一多晶硅層，位于該開口內；

形成一第一孔洞及一第二孔洞分別貫穿該多晶硅層及該介電層，該第二孔洞位于該第一孔洞的下方；

形成一保護層于該第一孔洞及該第二孔洞內及該多晶硅層上方；

對該保護層進行干蝕刻制程，以暴露該隔離層及該多晶硅層；

進行化學機械研磨制程，以移除暴露的該隔離層、暴露的該多晶硅層以及位于該第一孔洞內的該保護層，并暴露該介電層，以及留下該第二孔洞內的該保護層，進行該化學機械研磨制程的步驟是僅使用用以化學機械研磨該隔離層的一研磨液；

移除該第二孔洞內的該保護層，以暴露該第二孔洞；以及

沉積一加熱材料至該第二孔洞內。

2.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，該結構的該多晶硅層具有一空隙位于該開口內。

3.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，暴露的該隔離層的上表面與暴露的該多晶硅層的上表面共平面或大致上共平面。

4.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，暴露的該多晶硅層的上表面與位于該第一孔洞內的該保護層的上表面共平面或大致上共平面。

5.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，移除該第二孔洞內的該保護層的步驟是使用干蝕刻、濕蝕刻或其組合。

6.根據權利要求1所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，沉積該加熱材料的步驟還包含沉積該加熱材料至該介電層上方。

7.根據權利要求6所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，還包含：

于沉積該加熱材料的步驟之后，進行另一化學機械研磨制程，以移除位于該介電層上方的該加熱材料，并暴露該介電層，以形成一加熱器于該介電層中，其中該加熱器的頂表面與該介電層的頂表面齊平。

8.根據權利要求7所述的制造相變化記憶體的方法，其特征在于，還包含：

形成一頂電極與一相變化元件于該加熱器上方。