[發明專利]遲滯電路及其構成上電復位結構有效
| 申請號: | 201811516516.6 | 申請日: | 2018-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN109660236B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發明(設計)人: | 張寧;顧靜萍 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22;H03K17/28 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
| 地址: | 201315 上海市浦東新區中國(上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 遲滯 電路 及其 構成 復位 結構 | ||
1.一種上電復位結構,包括:第一MOS(PM1)、第二MOS(PM2)、第三MOS(PM5)、第一電阻(R1)和第二電阻(R2);
第一MOS(PM1)源極和第二MOS(PM2)源極連接遲滯電路(10)的第一連接端(A),第一MOS(PM1)漏極連接第一電阻(R1)第一連接端,第一電阻(R1)第二連接端連接第二電阻(R2)第一連接端,第二電阻(R2)第二連接端連接該遲滯電路(10)的第五連接端(E),第二MOS(PM2)漏極連接第三MOS(PM5)源極,第一MOS(PM1)柵極、第二MOS(PM2)柵極和第一電阻(R1)第二連接端連接該遲滯電路(10)的第二連接端(B),第三MOS(PM5)漏極和第一MOS(PM1)漏極連接該遲滯電路(10)的第四連接端(D),第三MOS(PM5)柵極和第一電阻(R1)第一連接端連接該遲滯電路(10)的第三連接端(C),其特征在于,還包括:復位信號產生電路(20)和采樣延遲及放電電路(30);
復位信號產生電路(20)第二連接端(G)連接遲滯電路(10)的第二連接端(B)和采樣延遲及放電電路(30)第二連接端(L),復位信號產生電路(20)第三連接端(H)連接采樣延遲及放電電路(30)的第三連接端(M),復位信號產生電路(20)第四連接端(I)連接復位信號產生電路(20)第四連接端(D),采樣延遲及放電電路(30)第四連接端(N)通過變頻器(INV)輸出復位信號(RESET);其中,遲滯電路(10)第一連接端(A)、復位信號產生電路(20)第一連接端(F)和采樣延遲及放電電路(30)第一連接端(K)連接電源電壓(VDD),遲滯電路(10)第五連接端(E)、復位信號產生電路(20)第五連接端(J)和采樣延遲及放電電路(30)第五連接端(O)連接地(GND);復位信號產生電路(20)包括第四MOS(PM3)、第五MOS(NM1)和緩沖器(BUFF);
第四MOS(PM3)第一連接端連接該復位信號產生電路(20)第一連接端(F),第四MOS(PM3)第二連接端連接緩沖器(BUFF)輸入端和第五MOS(NM1)第二連接端,第四MOS(PM3)第三連接端連接該復位信號產生電路(20)第二連接端(G),緩沖器(BUFF)輸出端連接該復位信號產生電路(20)第三連接端(H),第五MOS(NM1)第一連接端連接該復位信號產生電路(20)第五連接端(J),第五MOS(NM1)第三連接端連接該復位信號產生電路(20)第四連接端(I)。
2.如權利要求1所述的上電復位結構,其特征在于:所述第四MOS(PM3)是PMOS,第五MOS(NM1)是NMOS。
3.如權利要求1所述的上電復位結構,其特征在于:所述第四MOS(PM3)和第五MOS(NM1)的第一連接端是源極,第二連接端是漏極,第三連接端是柵極。
4.如權利要求1所述的上電復位結構,其特征在于:采樣延遲及放電電路(30)包括第六MOS(PM4)、第七MOS(PM6)、第八MOS(NM2)和電容(CAP);
第六MOS(PM4)第一連接端連接該采樣延遲及放電電路(30)第一連接端(K),第六MOS(PM4)第二連接端連接第七MOS(PM6)第一連接端,第六MOS(PM4)第三連接端連接該采樣延遲及放電電路(30)第二連接端(L),第七MOS(PM6)第二連接端、第八MOS(NM2)第二連接端和電容(CAP)第一連接端連接該采樣延遲及放電電路(30)第四連接端(N),第七MOS(PM6)第三連接端和第八MOS(NM2)第三連接端連接該采樣延遲及放電電路(30)第三連接端(M),第七MOS(PM6)第一連接端和電容(CAP)第二連接端連接該采樣延遲及放電電路(30)第五連接端(O)。
5.如權利要求4所述的上電復位結構,其特征在于:所述第六MOS(PM4)和第七MOS(PM6)是PMOS,第八MOS(NM2)是NMOS。
6.如權利要求5所述的上電復位結構,其特征在于:所述第六MOS(PM4)、第七MOS(PM6)和第八MOS(NM2)的第一連接端是源極,第二連接端是漏極,第三連接端是柵極。
7.如權利要求4所述的上電復位結構,其特征在于:第六MOS(PM4)流過的電流為第一MOS(PM1)的2:1鏡像電路。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力集成電路制造有限公司,未經上海華力集成電路制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811516516.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





