[發明專利]天線和等離子體成膜裝置有效
| 申請號： | 201811516404.0 | 申請日： | 2018-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN110021514B | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 池田太郎;巖尾俊彥 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 天線 等離子體 裝置 | ||
1.一種天線，具有：
第一供電部，其供給甚高頻的高頻電力；以及
第二供電部，經由所述第一供電部向所述第二供電部供給所述甚高頻的高頻電力，
其中，在所述第二供電部的側方連接所述第一供電部的前端部，
所述第二供電部在所述第一供電部的前端部的上方和下方具有一對金屬反射板，所述一對金屬反射板的間隔為λg/4+λg×n/2，其中，λg為甚高頻的電磁波的管內波長，n為0以上的整數。
2.根據權利要求1所述的天線，其特征在于，
所述第二供電部使甚高頻的電磁波在所述一對金屬反射板之間產生共振。
3.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，
所述第一供電部的前端部和所述一對金屬反射板形成為環狀，
設置于所述第二供電部的同軸波導管貫通所述第一供電部的前端部和所述一對金屬反射板。
4.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，
在所述一對金屬反射板之間形成電介質和空間中的至少任一方。
5.根據權利要求4所述的天線，其特征在于，
在所述一對金屬反射板中的下方的金屬反射板的側方形成的空間的徑向寬度比在該下方的金屬反射板的上方形成的空間的徑向寬度窄。
6.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，
所述第二供電部具有同軸波導管，該同軸波導管的內側導體和外側導體形成為同心圓狀，
經由所述第一供電部向所述外側導體傳播甚高頻的電磁波，
向所述內側導體傳播LF和HF中的至少任一個高頻，所述LF為0.45MHz～13MHz的頻率的高頻，所述HF為40MHz～60MHz的頻率的高頻。
7.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，
所述第二供電部具有形成有圓筒狀的導體的同軸波導管，
經由所述第一供電部向所述導體傳播甚高頻的電磁波，
向所述導體的內部通氣體。
8.根據權利要求1或2所述的天線，其特征在于，
所述第二供電部具有同軸波導管，該同軸波導管的內側導體和外側導體形成為同心圓狀，
經由所述第一供電部向所述外側導體傳播甚高頻的電磁波，
向所述內側導體傳播由與輸出所述甚高頻的電磁波的甚高頻供給部不同的甚高頻供給部輸出的甚高頻的電磁波。
9.根據權利要求6所述的天線，其特征在于，
向所述內側導體的內部通氣體。
10.一種等離子體成膜裝置，
具有：天線，其供給甚高頻的高頻電力；以及處理容器，其使用從所述天線供給的甚高頻的高頻電力來從氣體生成等離子體，并實施成膜處理，
所述天線具有：第一供電部，其供給甚高頻的高頻電力；以及第二供電部，經由所述第一供電部向所述第二供電部供給所述甚高頻的高頻電力，
在所述第二供電部的側方連接所述第一供電部的前端部，
所述第二供電部在所述第一供電部的前端部的上方和下方具有一對金屬反射板，所述一對金屬反射板的間隔為λg/4+λg×n/2，其中，λg為甚高頻的電磁波的管內波長，n為0以上的整數。
11.根據權利要求10所述的等離子體成膜裝置，其特征在于，
在所述處理容器的頂部具有氣體噴淋頭，
所述第二供電部與所述氣體噴淋頭連接。
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