[發(fā)明專(zhuān)利]聚合物基電介質(zhì)材料及薄膜電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811516279.3
• 申請(qǐng)日: 2018-12-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111303567B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于淑會(huì);于均益;孫蓉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳先進(jìn)技術(shù)研究院
• 主分類(lèi)號(hào): C08L27/16
• 分類(lèi)號(hào): C08L27/16;C08K3/30;H01G4/33;H01G4/18
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;呂穎

1.一種聚合物基電介質(zhì)材料，其特征在于，包括聚合物基體及均勻填充在所述聚合物基體中的電介質(zhì)填料；所述電介質(zhì)填料是由O原子替換ZnS晶體中的部分S原子形成等電子陷阱結(jié)構(gòu)而獲得，所述電介質(zhì)填料的化學(xué)式為ZnS_0.8O_0.2或ZnS_0.6O_0.4；在所述聚合物基電介質(zhì)材料中，所述電介質(zhì)填料的體積百分?jǐn)?shù)為2.53％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物基電介質(zhì)材料，其特征在于，所述聚合物基體為熱塑性材料或熱固性材料。

3.一種薄膜電容器，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的兩層電極層、以及夾設(shè)于其間的電介質(zhì)層；其中，所述電介質(zhì)層的材料為如權(quán)利要求1-2任一所述的聚合物基電介質(zhì)材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜電容器，其特征在于，所述電極層的材料為鋁、銀、銅、金、鎳、鈦中的任意一種或至少兩種形成的合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜電容器，其特征在于，所述電介質(zhì)層的厚度為1nm～100μm；所述薄膜電容器的電擊穿強(qiáng)度不低于2000kV/cm，能量密度不低于3J/cm³。