[發明專利]去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法有效
| 申請號： | 201811516115.0 | 申請日： | 2018-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN109616475B | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發明（設計）人： | 董立群;劉政紅;張強;黃冠群 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11568 | 分類號： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 欒美潔 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 去除 側壁 ono 結構 阻擋 氧化 殘留 工藝 方法 | ||
1.一種去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1，提供半導體基底，所述半導體基底依次形成有隧穿氧化層和氮化硅層；
步驟S2，生長第一阻擋氧化層，所述第一阻擋氧化層與氮化硅層、隧穿氧化層構成ONO結構，所述第一阻擋氧化層的厚度為20?！?0埃；
步驟S3，在所述ONO結構上涂抗反射涂層，并在所述抗反射涂層上涂光刻膠；
步驟S4，顯影打開非SONOS存儲區域；
步驟S5，干法刻蝕去除非SONOS存儲區域頂部的第一阻擋氧化層；
步驟S6，去除SONOS存儲區域的光刻膠和抗反射涂層；
步驟S7，濕法刻蝕去除非SONOS存儲區域的氮化硅層；
步驟S8，生長第二阻擋氧化層。
2.根據權利要求1所述的去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，在步驟S2中，第一阻擋氧化層的生成方法是ISSG工藝。
3.根據權利要求1所述的去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，在步驟S5中，干法刻蝕第一阻擋氧化層的過程中降低刻蝕偏壓，去除側壁的第一阻擋氧化層。
4.根據權利要求1所述的去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，在步驟S7中，刻蝕氮化硅層的刻蝕液為H3PO4。
5.根據權利要求1所述的去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，在步驟S8中，第二阻擋氧化層的厚度為45埃～50埃。
6.根據權利要求1所述的去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，在步驟S8中，第二阻擋氧化層的生成方法是ISSG工藝。
7.根據權利要求1所述的去除側壁ONO結構中阻擋氧化層殘留的工藝方法，其特征在于，在步驟S8中，SONOS存儲區域在半導體基底上自下而上依次為隧穿氧化層、氮化硅層、第一阻擋氧化層和第二阻擋氧化層，非SONOS存儲區域在半導體基底上自下而上依次為隧穿氧化層和第二阻擋氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
