[發明專利]基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法、保存有程序的存儲介質在審
| 申請號: | 201811515896.1 | 申請日: | 2018-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN110010521A | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | 山川純逸;對馬拓也 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;C25D21/12;C25D7/12 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;沈靜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板處理裝置 基板 圖像傳感器 角部 存儲介質 控制裝置 照明裝置 對角線 處理基板 輸出光 保存 檢測 波長 光量 判定 照射 變更 配置 | ||
本發明提供基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法、保存有程序的存儲介質,其課題為提高基板的定位。一種用于處理基板的基板處理裝置,具備:圖像傳感器,其在基板被輸送到規定位置時,檢測上述基板的至少一個對角線上的兩個角部的位置;照明裝置,其相對于位于上述規定位置的上述基板而在與上述圖像傳感器相反的一側,能夠配置為對上述基板的上述兩個角部進行照射;以及控制裝置,其基于由上述圖像傳感器檢測出的上述兩個角部的位置來判定上述基板的位置,上述控制裝置構成為能夠變更上述照明裝置的輸出光的光量及波長中的至少一者。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置、基板處理裝置的控制方法、保存有用于使計算機執行基板處理裝置的控制方法的程序的存儲介質。
背景技術
在鍍覆裝置中,存在對安裝于基板保持件的基板進行鍍覆處理的裝置。在這樣的鍍覆裝置中,在將基板安裝到基板保持件時及/或使基板從基板保持件脫離時,有時基板會從規定的正確位置偏離。另外,出于基板保持件翹曲、載置基板保持件的載臺翹曲、基板翹曲、或因基板表面的水滴、載臺上的灰塵引起的基板保持件的傾斜等原因,也可能產生基板的錯位。并且,當存在這樣的錯位時,可能無法對作為被鍍覆對象物的基板正確地進行鍍覆處理。
提出過在向基板保持件安裝基板時檢測基板位置、并在基板錯位的情況下進行修正的技術(例如,專利文獻1)。專利文獻1所記載的技術中,在基板保持件110的固定保持部件15中,在與基板500的緣部對應的位置設置切缺部17,并配置激光傳感器1140,該激光傳感器1140在基板500被置于正確位置的情況下,能夠不被基板500遮住而對切缺部17的表面進行照射。在將基板500設置到了固定保持部件15上時,激光傳感器1140對距離進行測定,若測定距離是至切缺部17為止的距離A,則判斷成基板500沒有錯位。另一方面,若測定距離為至基板500為止的距離W1(<A),則判斷成基板500產生了錯位。關于該技術,由于在基板保持件上設置位置測定用的切缺部17,所以需要改變所使用的許多基板保持件的結構。另外,在基板保持件自身薄的情況下,可能存在難以以能夠確保充分的檢測精度的方式形成切缺部的情況。
或者,通常,今后可能會在各種各樣的半導體制造裝置中,謀求以較高的精度對形成有比以往精細的圖案的基板、將各種材料用作半導體材料的基板等、至今沒有出現的多種多樣的基板進行處理。并且,設想在這樣的半導體制造裝置中,也謀求以比以往高的精度進行基板向處理臺上的移載、基板的定位等。另外,也期望縮短基板的定位所需的處理時間。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第5750327號說明書
發明內容
本發明的目的在于解決上述課題的至少一部分。
根據本發明的一個方式,提供一種基板處理裝置,用于處理基板,具備:圖像傳感器,其在基板被輸送到規定位置時,檢測上述基板的至少一個對角線上的兩個角部的位置;照明裝置,其相對于位于上述規定位置的上述基板而在與上述圖像傳感器相反的一側,能夠配置為對上述基板的上述兩個角部進行照射;以及控制裝置,其基于由上述圖像傳感器檢測出的上述兩個角部的位置來判定上述基板的位置,上述控制裝置構成為能夠變更上述照明裝置的輸出光的光量及波長中的至少一者。
根據本發明的一個方式,提供一種基板處理裝置,用于處理基板,具備:圖像傳感器,其在基板被輸送到規定位置時,檢測上述基板的至少一個對角線上的兩個角部的位置;照明裝置,其相對于位于上述規定位置的上述基板而在與上述圖像傳感器相反的一側,能夠配置為對上述基板的上述兩個角部進行照射;以及控制裝置,其基于由上述圖像傳感器檢測出的上述兩個角部的位置來判定上述基板的位置,上述控制裝置作為上述基板的位置而計算出上述基板的中心位置及旋轉角,在計算出的上述基板的中心位置及旋轉角偏離規定的中心位置及規定的旋轉角的情況下,在將上述基板的旋轉角修正為規定的旋轉角之后,將上述基板的中心位置修正為規定的中心位置。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





