[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811515532.3
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109994362B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白承宰;南宮鉉;李泰宗;金善政;金周妍;吹上紀(jì)明;巖崎征英;反田雄太
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種半導(dǎo)體處理室，包括：

基座；

所述基座上的沉積處理區(qū)域；

所述基座上的第一等離子體處理區(qū)域；

所述基座上的第二等離子體處理區(qū)域；

噴頭結(jié)構(gòu)，在所述沉積處理區(qū)域上；

第一板，在所述第一等離子體處理區(qū)域上；

第二板，在所述第二等離子體處理區(qū)域上；以及

第一阻擋結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一等離子體處理區(qū)域與所述第二等離子體處理區(qū)域之間并位于所述第一板與所述第二板之間，

其中，所述基座包括多個晶片區(qū)，

其中，所述噴頭結(jié)構(gòu)、所述第一板、所述第二板和所述第一阻擋結(jié)構(gòu)與所述基座相對設(shè)置并與所述基座間隔開，

其中，所述噴頭結(jié)構(gòu)與所述基座之間的距離小于所述第一板與所述基座之間的距離以及所述第二板與所述基座之間的距離，

其中，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)與所述基座之間的距離小于所述第一板與所述基座之間的距離以及所述第二板與所述基座之間的距離，

其中，所述沉積處理區(qū)域被定義為設(shè)置在所述噴頭結(jié)構(gòu)與所述基座之間，

其中，所述第一等離子體處理區(qū)域被定義為設(shè)置在所述第一板與所述基座之間，并且

其中，所述第二等離子體處理區(qū)域被定義為設(shè)置在所述第二板與所述基座之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理室，還包括：

第一噴射器，其中，所述第一噴射器向所述第一等離子體處理區(qū)域的內(nèi)部供應(yīng)處理氣體；以及

第二噴射器，其中，所述第二噴射器向所述第二等離子體處理區(qū)域的內(nèi)部供應(yīng)處理氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理室，其中，所述第一噴射器和所述第二噴射器與所述基座間隔開。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理室，其中，所述第一噴射器和所述第二噴射器均包括處理氣體噴射噴嘴。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理室，其中，所述第一噴射器的處理氣體噴射噴嘴與所述基座之間的距離以及所述第二噴射器的處理氣體噴射噴嘴與所述基座之間的距離均小于所述第一板與所述基座之間的距離以及所述第二板與所述基座之間的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理室，其中，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)還位于所述第一噴射器與所述第二噴射器之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理室，其中，所述第一阻擋結(jié)構(gòu)與所述基座之間的距離小于所述第一噴射器與所述基座之間的距離以及所述第二噴射器與所述基座之間的距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理室，還包括第三板，所述第三板與所述基座相對設(shè)置并與所述基座間隔開。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理室，還包括：所述基座上的第三等離子體處理區(qū)域，

其中，所述第三等離子體處理區(qū)域被定義為設(shè)置在所述第三板與所述基座之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體處理室，還包括所述第二等離子體處理區(qū)域與所述第三等離子體處理區(qū)域之間的第二阻擋結(jié)構(gòu)。