[發(fā)明專利]一種基板及線路板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811514701.1 | 申請日： | 2018-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN110785007A | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇陟 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/03 | 分類號： | H05K1/03;H05K3/38;B32B7/12;B32B15/08;B32B15/20;B32B15/04;B32B9/00;B32B9/04;B32B33/00;B32B7/06 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 麥小嬋;郝傳鑫 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 載體層 金屬箔層 阻隔層 復(fù)合金屬箔 剝離層 金屬粘結(jié)層 絕緣粘結(jié)層 耐高溫層 基膜層 基板 剝離 材料技術(shù)領(lǐng)域 針孔 線路板 薄金屬箔 層疊設(shè)置 微細(xì)線路 依次層疊 粘結(jié) 制備 擴(kuò)散 | ||
1.一種基板，其特征在于，所述基板包括復(fù)合金屬箔、絕緣粘結(jié)層和基膜層，所述復(fù)合金屬箔包括載體層、阻隔層、剝離層和金屬箔層；
所述載體層、所述阻隔層、所述剝離層和所述金屬箔層依次層疊設(shè)置，所述阻隔層包括層疊設(shè)置的金屬粘結(jié)層和耐高溫層，所述金屬粘結(jié)層設(shè)于所述載體層和所述耐高溫層之間；所述復(fù)合金屬箔通過所述絕緣粘結(jié)層設(shè)于所述基膜層上，且所述絕緣粘結(jié)層設(shè)于所述金屬箔層遠(yuǎn)離所述載體層的一側(cè)上，所述基膜層設(shè)于所述絕緣粘結(jié)層遠(yuǎn)離所述金屬箔層的一側(cè)上。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，在20-400℃溫度下，所述載體層與所述阻隔層之間的剝離強(qiáng)度大于所述剝離層與所述金屬箔層之間的剝離強(qiáng)度。
3.如權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，所述載體層與所述阻隔層之間的百格測試等級為0或1或2，所述剝離層與所述金屬箔層之間的剝離強(qiáng)度為0.001-2N/cm。
4.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述剝離層與所述金屬箔層之間的剝離強(qiáng)度大于或等于所述剝離層與所述阻隔層之間的剝離強(qiáng)度。
5.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述耐高溫層為有機(jī)耐高溫層，或者，所述耐高溫層由鎢、鉻、鋯、鈦、鎳、鉬、鈷和石墨中的任意一種或多種材料制成。
6.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述耐高溫層為單層合金結(jié)構(gòu)；或，所述耐高溫層為單材料層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)或合金層和單材料層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)，其中，所述單材料層由同一種化學(xué)元素制成。
7.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述金屬粘結(jié)層由第一類金屬中任意一種或多種材料制成；或者，所述金屬粘結(jié)層由第二類金屬中任意一種或多種材料制成；或者，所述金屬粘結(jié)層由第一類金屬中任意一種或多種材料和第二類金屬中任意一種或多種材料制成；
其中，所述第一類金屬為易于與所述載體層粘結(jié)的金屬，所述第二類金屬為易于與所述耐高溫層粘結(jié)的金屬。
8.如權(quán)利要求7所述的基板，其特征在于，所述第一類金屬為銅或鋅，所述第二類金屬為鎳或鐵或錳。
9.如權(quán)利要求7所述的基板，其特征在于，所述金屬粘結(jié)層為所述第一類金屬或所述第二類金屬制成的單金屬層；
或者，所述金屬粘結(jié)層為所述第一類金屬和所述第二類金屬制成的單層合金結(jié)構(gòu)；
或者，所述金屬粘結(jié)層包括由第一類金屬制成并與所述載體層連接的單金屬層，所述金屬粘結(jié)層還包括由第二類金屬制成并與所述耐高溫層連接的單金屬層；
或者，所述金屬粘結(jié)層包括合金層和單金屬層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬粘結(jié)層的合金層由所述第一類金屬和所述第二類金屬制成，所述金屬粘結(jié)層的單金屬層由所述第一類金屬或所述第二類金屬制成。
10.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其特征在于，所述剝離層由鎳、硅、鉬、石墨、鈦和鈮中的任意一種或多種材料制成；或，所述剝離層由有機(jī)高分子材料制成。
11.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其特征在于，所述金屬箔層的厚度小于或等于9μm。
12.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其特征在于，所述金屬箔層為銅箔或鋁箔；和/或，所述載體層為載體銅或載體鋁或有機(jī)薄膜。
13.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其特征在于，所述載體層靠近所述金屬箔層的一面的粗糙度Rz為小于或等于5μm；和/或，所述金屬箔層遠(yuǎn)離所述載體層的一面的粗糙度Rz為小于或等于3.0μm。
14.如權(quán)利要求1-9任一項所述的基板，其特征在于，所述載體層靠近所述阻隔層的一側(cè)上設(shè)有第一防氧化層；和/或，所述金屬箔層遠(yuǎn)離所述阻隔層的一側(cè)上設(shè)有第二防氧化層。
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