[發(fā)明專利]一種復(fù)合金屬箔的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811514600.4
• 申請日: 2018-12-10
• 公開（公告）號: CN111295055A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇陟
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號: H05K3/02
• 分類號: H05K3/02;H05K1/09
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 麥小嬋;郝傳鑫

本發(fā)明涉及材料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種復(fù)合金屬箔的制備方法，首先，形成載體層，然后，在載體層的一側(cè)上形成金屬粘結(jié)層，接著，在金屬粘結(jié)層上形成耐高溫層，以使金屬粘結(jié)層和耐高溫層構(gòu)成阻隔層，再在阻隔層上形成剝離層，最后在剝離層上形成金屬箔層，從而得到復(fù)合金屬箔，通過在載體層和金屬箔層之間設(shè)置剝離層，以便于剝離載體層，并通過在載體層和金屬箔層之間設(shè)置阻隔層，以避免載體層與金屬箔層在高溫時相互擴(kuò)散造成粘結(jié)，從而使得載體層與金屬箔層易于剝離；此外，通過在載體層和耐高溫層之間設(shè)置金屬粘結(jié)層，以使得阻隔層不易于與載體層分離，從而防止阻隔層與載體層之間發(fā)生剝離。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及材料技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種復(fù)合金屬箔的制備方法。

背景技術(shù)

目前，基板是撓性印制電路板(Flexible Printed Circuit board，F(xiàn)PC)的加工材料，其通常由撓性絕緣基膜與復(fù)合金屬箔組成的。在現(xiàn)有技術(shù)中制備基板時，通常先將復(fù)合金屬箔(包括載體層和金屬箔層)設(shè)有金屬箔層的一側(cè)與撓性絕緣基膜進(jìn)行壓合，從而得到基板，在使用基板時，需要將載體層剝離。但是，由于復(fù)合金屬箔與撓性絕緣基膜進(jìn)行壓合時需要在高溫條件下，而載體層與金屬箔層在高溫條件下容易發(fā)生相互擴(kuò)散，從而導(dǎo)致載體層與金屬箔層粘結(jié)，使得載體層與金屬箔層之間難以剝離。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的是提供一種復(fù)合金屬箔的制備方法，其能夠避免復(fù)合金屬箔的載體層與復(fù)合金屬箔的金屬箔層在高溫時相互擴(kuò)散造成粘結(jié)，從而使得載體層與金屬箔層易于剝離。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供一種復(fù)合金屬箔的制備方法，包括以下步驟：

形成載體層；

在所述載體層的一側(cè)上形成金屬粘結(jié)層；

在所述金屬粘結(jié)層上形成耐高溫層，所述金屬粘結(jié)層和所述耐高溫層構(gòu)成阻隔層；

在所述阻隔層上形成剝離層；

在所述剝離層上形成金屬箔層。

作為優(yōu)選方案，在20-400℃溫度下，所述載體層與所述阻隔層之間的剝離強度大于所述剝離層與所述金屬箔層之間的剝離強度。

作為優(yōu)選方案，所述載體層與所述阻隔層之間的百格測試等級為0或1或2，所述剝離層與所述金屬箔層之間的剝離強度為0.001-2N/cm。

作為優(yōu)選方案，所述剝離層與所述金屬箔層之間的剝離強度大于或等于所述剝離層與所述阻隔層之間的剝離強度。

作為優(yōu)選方案，在所述載體層的一側(cè)上形成金屬粘結(jié)層具體為：

在所述載體層的一側(cè)上形成單金屬層；

其中，在所述載體層的一側(cè)上形成的單金屬層由第一類金屬或第二類金屬制成，所述第一類金屬為易于與所述載體層粘結(jié)的金屬，所述第二類金屬為易于與所述耐高溫層粘結(jié)的金屬。

作為優(yōu)選方案，所述在所述載體層的一側(cè)上形成金屬粘結(jié)層具體為：

在所述載體層的一側(cè)上形成單層合金結(jié)構(gòu)；

其中，在所述載體層的一側(cè)上形成的單層合金結(jié)構(gòu)由第一類金屬和第二類金屬制成，所述第一類金屬為易于與所述載體層粘結(jié)的金屬，所述第二類金屬為易于與所述耐高溫層粘結(jié)的金屬。

作為優(yōu)選方案，在所述載體層的一側(cè)上形成金屬粘結(jié)層具體為：

在所述載體層的一側(cè)上形成多層結(jié)構(gòu)；

其中，在所述載體層的一側(cè)上形成的多層結(jié)構(gòu)包括由第一類金屬制成并與所述載體層連接的單金屬層，在所述載體層的一側(cè)上形成的多層結(jié)構(gòu)還包括由第二類金屬制成并與所述耐高溫層連接的單金屬層，所述第一類金屬為易于與所述載體層粘結(jié)的金屬，所述第二類金屬為易于與所述耐高溫層粘結(jié)的金屬。