[發明專利]一種功率器件及其制備方法、應用

在審

• 申請號: 201811513136.7
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN111312813A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 劉奇斌;陳倩
• 申請（專利權）人: 上海先進半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦;王衛彬

1.一種功率器件，其特征在于，其依次包括相互疊置的一第一氧化層、一氮化硅層、一第二氧化層、一硅片層和一第三氧化層；

所述第一氧化層的厚度為3～5μm；

所述氮化硅層的厚度為0.05～0.2μm；

所述第二氧化層的厚度為0.5～2μm；

所述硅片層的厚度為320～500μm；

所述第三氧化層的厚度為3～5μm。

2.如權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一氧化層的原料為二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃和半絕緣多晶硅中的一種或多種，優選為硼磷硅玻璃和/或磷硅玻璃；

和/或，所述第一氧化層的厚度為3～4.2μm，優選為3μm、3.8μm、4.2μm或5μm。

3.如權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為優選為或

和/或，所述硅片層的厚度為320～410μm，優選為320μm、410μm或500μm。

4.如權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第二氧化層的原料為二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃和半絕緣多晶硅中的一種或多種，優選為二氧化硅、硼磷硅玻璃和磷硅玻璃中的一種或多種；

和/或，所述第二氧化層的厚度為1～1.2μm，優選為1μm或1.2μm。

5.如權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第三氧化層的原料為二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅玻璃和半絕緣多晶硅中的一種或多種，優選為硼磷硅玻璃和/或磷硅玻璃；

和/或，所述第三氧化層的厚度為3～4.2μm，優選為3μm、3.8μm、4.2μm或5μm。

6.如權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一氧化層的厚度為3～4.2μm，所述氮化硅層的厚度為所述第二氧化層的厚度為1～1.2μm，所述硅片的厚度為320～410μm，所述第三氧化層的厚度為3～4.2μm；

優選地，所述第一氧化層的厚度為3μm，所述氮化硅層的厚度為所述第二氧化層的厚度為1μm，所述硅片的厚度為320μm，所述第三氧化層的厚度為3μm；或者，所述第一氧化層的厚度為3.8μm，所述氮化硅層的厚度為所述第二氧化層的厚度為1.2μm，所述硅片的厚度為410μm，所述第三氧化層的厚度為3.8μm；或者，所述第一氧化層的厚度為5μm，所述氮化硅層的厚度為所述第二氧化層的厚度為1μm，所述硅片的厚度為500μm，所述第三氧化層的厚度為5μm；或者，所述第一氧化層的厚度為4.2μm，所述氮化硅層的厚度為所述第二氧化層的厚度為1μm，所述硅片的厚度為500μm，所述第三氧化層的厚度為4.2μm。

7.一種如權利要求1～6中任一項所述的功率器件的制備方法，其特征在于，其包括下述步驟：

(1)將能夠形成氧化層的原料經氣相沉積，淀積于硅片的一側，得第二氧化層；

(2)將能夠形成氮化硅層的原料經氣相沉積，淀積于步驟(1)中所述的第二氧化層上，得氮化硅層；

(3)將能夠形成氧化層的原料經氣相沉積，淀積于步驟(3)中所述的氮化硅層上，得第一氧化層；將能夠形成氧化層的原料經氣相沉積，淀積于步驟(1)中所述硅片的另一側，得第三氧化層；即可。