[發明專利]一種中繼器有效
| 申請號： | 201811512865.0 | 申請日： | 2018-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN109639334B | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 張建福 | 申請（專利權）人： | 深圳市聯智物聯網科技有限公司 |
| 主分類號： | H04B7/155 | 分類號： | H04B7/155 |
| 代理公司： | 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 左正超 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區華富街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 中繼 | ||
1.一種中繼器，其特征在于：包括：
處理器，用于控制射頻芯片的RF信號收發；
射頻芯片，使用SPI協議與處理器通信連接由其控制，并向第一放大器發送差分RF信號，或接收來自第二放大器的差分RF信號；
第一放大器，設于發射傳輸線路中并工作于中繼器的發射狀態，將射頻芯片的差分RF信號進行放大后通過RF天線發送出去；
第二放大器，設于接收傳輸線路中并工作于中繼器的接收狀態，將RF天線接收的RF信號進行放大后傳輸至射頻芯片；
RF天線，用于收發RF信號；
電源，為處理器、射頻芯片、第一放大器和第二放大器供電；
所述中繼器還包括設于發射傳輸線路和接收傳輸線路中且切換二者的第一IC FET單刀雙擲開關、第二IC FET單刀雙擲開關，以及與射頻芯片電連接并控制第一IC FET單刀雙擲開關和第二IC FET單刀雙擲開關執行切換動作的NP溝道PowerTrench MOSFET；
所述第一IC FET單刀雙擲開關設于射頻芯片與第一放大器和第二放大器之間，第二ICFET單刀雙擲開關設于第一放大器和第二放大器與RF天線之間；
所述第一IC FET單刀雙擲開關和第二IC FET單刀雙擲開關的型號為AS179-92，NP溝道PowerTrench MOSFET的型號為FDG6332C_085；
第一IC FET單刀雙擲開關的5端口與射頻芯片U4電連接傳輸差分RF信號，4端口連接TX信號，6端口連接RX信號，3端口連接第二放大器U7，1端口連接第一放大器U6，第二IC FET單刀雙擲開關的5端口通過天線接口連接RF天線，4端口連接連接RX信號，6端口連接TX信號，3端口連接第一放大器U6，1端口連接第二放大器U7；
所述處理器及其外圍電路組成最小系統，處理器的型號為ATMEGA8；
所述射頻芯片及其外圍電路構成射頻最小系統，所述射頻芯片的型號為CYRF693640LFXC。
2.根據權利要求1所述的一種中繼器，其特征在于：所述第一放大器為功率放大器，第二放大器為低噪聲放大器。
3.根據權利要求2所述的一種中繼器，其特征在于：所述第一放大器的型號為MAX2247，第二放大器的型號為MAX2644。
4.根據權利要求1所述的一種中繼器，其特征在于：所述處理器還連接有擴展接口，擴展接口連接有LED燈或/和蜂鳴器，以及傳感器。
5.根據權利要求4所述的一種中繼器，其特征在于：所述傳感器包括溫度傳感器、濕度傳感器、光照傳感器、PM2.5傳感器、CO2傳感器、壓力傳感器、煙霧傳感器的一種或多種。
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