[發明專利]一種低摻雜硅電極的蝕刻液在審
| 申請號： | 201811512695.6 | 申請日： | 2018-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN109575923A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 李少平;張庭;賀兆波;尹印;萬楊陽;馮凱;王書萍 | 申請（專利權）人： | 湖北興福電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/08 | 分類號： | C09K13/08;C23F1/24 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 蝕刻液 硅電極 低摻雜 氟化銨 氯化銨 硝酸 表面粗糙度 蝕刻表面 銨根離子 研磨 補充劑 超純水 粗糙度 氫氟酸 小氣泡 可控 去除 硫酸 損傷 保證 | ||
【權利要求書】：
1.一種低摻雜硅電極的蝕刻液，其特征在于，所述的蝕刻液主要組成包括占蝕刻液總重量45-65%的硫酸、1-10%的硝酸、1-10%的氟化銨、1-10%的氯化銨、5-52%的水。
2.根據權利要求1所述的低摻雜硅電極的蝕刻液，其特征在于，所述的硫酸濃度≥96%。
3.根據權利要求1所述的低摻雜硅電極的蝕刻液，其特征在于，所述的硝酸濃度為50-75%。
4.根據權利要求1所述的低摻雜硅電極的蝕刻液，其特征在于，所述的氟化銨的含量≥98%。
5.根據權利要求1所述的低摻雜硅電極的蝕刻液，其特征在于，所述的氯化銨的含量≥99.8%。
6.根據權利要求1所述的低摻雜硅電極的蝕刻液，其特征在于，所述的水為室溫下電阻率為15.0-18.0MΩ*cm的超純水。
7.根據權利要求1所述的低摻雜硅電極的蝕刻液在氣體干法蝕刻機臺中的配件上的應用，所述的低摻雜硅電極的電阻率>1Ω*cm。
8.根據權利要求7所述的應用，其特征在于，蝕刻溫度為20-40℃，蝕刻時間為3min。
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