[發明專利]一種功率器件制備方法及功率器件

在審

• 申請號: 201811511251.0
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109755129A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 泉州臻美智能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 深圳市知頂頂知識產權代理有限公司 44504
• 代理人: 馬世中

1.一種功率器件制備方法，其特征在于，包括：

提供第一導電類型的襯底；

在所述襯底的側壁刻蝕形成第一橫向溝槽和第二橫向溝槽；

在所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽內進行熱氧化形成氧化硅；

在所述襯底上表面刻蝕形成第三溝槽和第四溝槽，所述第三溝槽和所述第四溝槽分別與所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽內的氧化硅接觸；

在所述第三溝槽和所述第四溝槽內填充第二導電類型雜質分別形成第一外延層和第二外延層；

在所述襯底表面制備形成介質層，所述介質層覆蓋所述第三溝槽和所述第四溝槽；

在所述襯底上表面和下表面制備金屬層。

2.根據權利要求1所述的功率器件制備方法，其特征在于，所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽在所述襯底內的位置左右對稱。

3.根據權利要求1所述的功率器件制備方法，其特征在于，所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽采用干法刻蝕形成。

4.根據權利要求1所述的功率器件制備方法，其特征在于，所述第三溝槽和所述第四溝槽在所述襯底內的位置左右對稱。

5.根據權利要求1所述的功率器件制備方法，其特征在于，所述第一外延層和所述第二外延層通過氣相外延生長法形成。

6.根據權利要求1所述的功率器件制備方法，其特征在于，所述第一金屬和所述第二金屬采用金屬濺射法淀積形成。

7.根據權利要求1所述的功率器件制備方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅。

8.一種功率器件，其特征在于，包括：

第一導電類型的襯底；

形成于所述襯底側壁的第一橫向溝槽和第二橫向溝槽，所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽內填充氧化硅；

第三溝槽和第四溝槽，所述第三溝槽和所述第四溝槽分別與所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽內的氧化硅接觸；

第一外延層和第二外延層，所述第一外延層和所述第二外延層分別填充所述第三溝槽和所述第四溝槽；

介質層，所述介質層覆蓋所述第三溝槽和所述第四溝槽；

第一金屬和第二金屬，所述第一金屬和所述第二金屬分別形成于所述襯底上表面和下表面。

9.根據權利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第一橫向溝槽和所述第二橫向溝槽成中心對稱。

10.根據權利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述介質層為二氧化硅。