[發(fā)明專利]發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811510488.7
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109668062A
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃文孝;林榮松;黃達(dá)人
• 申請（專利權(quán)）人: 業(yè)成科技（成都）有限公司;業(yè)成光電（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
• 主分類號: F21K9/238
• 分類號: F21K9/238;F21K9/64;F21K9/69;F21Y115/10
• 代理公司: 成都希盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51226
• 代理人: 楊冬梅;張行知

1.一種發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一電路板；

一發(fā)光二極體陣列，設(shè)置于該電路板上，具有復(fù)數(shù)個發(fā)光二極體單元；

一第一隔離層，完整覆蓋該發(fā)光二極體陣列，并具有一第一隔離高度及一第一隔離厚度；

一發(fā)光轉(zhuǎn)換層，完整覆蓋該第一隔離層，并具有一發(fā)光轉(zhuǎn)換層高度及一發(fā)光轉(zhuǎn)換層厚度；以及

一第二隔離層，完整覆蓋該發(fā)光轉(zhuǎn)換層，并具有一第二隔離高度、一第二隔離厚度及一表面微結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該第一隔離高度、該第二隔離高度及該發(fā)光轉(zhuǎn)換層高度的高度定義為與該電路板垂直的方向，且該第一隔離厚度、該第二隔離厚度及該發(fā)光轉(zhuǎn)換層厚度的厚度定義為與該電路板水平的方向。

3.如權(quán)利要求2所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該第一隔離厚度需大于或等于該第一隔離高度。

4.如權(quán)利要求2所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該第二隔離厚度需大于或等于該第二隔離高度。

5.如權(quán)利要求2所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光轉(zhuǎn)換層厚度等于該發(fā)光轉(zhuǎn)換層高度。

6.如權(quán)利要求1所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該表面微結(jié)構(gòu)為表面突出物，用以修正光路徑俾使光收斂聚集的效果。

7.如權(quán)利要求1所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光轉(zhuǎn)換層的折射率為n_q。

8.如權(quán)利要求2所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該第一隔離層由至少一第一子隔離層堆疊形成。

9.如權(quán)利要求2所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該第二隔離層由至少一第二子隔離層堆疊形成。

10.如權(quán)利要求8或第9項所述之發(fā)光二極體面光源結(jié)構(gòu)，其中該子隔離層由內(nèi)而外其折射率依序為n₁、n₂、n₃、…、n_N，其中N為自然數(shù)，且符合1≦n₁≦n₂≦n₃≦…≦n_N≦n_q。