[發明專利]一種基于共振腔結構實現大面積超分辨光刻方法

有效

• 申請號: 201811510455.2
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109669323B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 羅先剛;蒲明博;馬曉亮;劉玲;王長濤
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于共振腔結構實現大面積超分辨光刻方法，其特征在于：

超分辨光刻結構由入射光方向依次往下的特殊材料感光層和由金屬層，感光介質層和硅材料層組成等離子體共振腔結構組成，而非傳統的金屬-介質-金屬共振腔結構，無需傳統金屬掩?；蚋采w有金屬薄膜的介質掩模，無需實現掩模與基片間納米級間隙控制；

光刻過程中需進行兩次曝光，第一次曝光使得特殊感光材料層的折射率分布發生變化，從而導致透過率分布出現變化，并在第二次曝光過程中充當振幅型光柵掩模；更換照明條件進行第二次曝光，由第一次曝光得到的感光材料掩模激發下，共振腔結構內激發出表面等離子體模式并相互干涉，得到超分辨干涉光場。

2.根據權利要求1所述的一種基于共振腔結構實現大面積超分辨光刻方法，其特征在于：兩次曝光所需的照明光源存在差異，該差異對應的特性包括，照明光源波長、照明光源強度、照明時間、偏振態、照明方向，其作用在于確保第一次曝光時使特殊感光材料層的透過率分布發生變化，并足以在第二次曝光時充當振幅型光柵掩模，且透過率分布不發生明顯變化。

3.根據權利要求1所述的一種基于共振腔結構實現大面積超分辨光刻方法，其特征在于：共振腔結構中的金屬層材料可在紫外至可見光波段激發表面等離子體，包括銀、鋁、金。