[發明專利]線圈部件

有效

• 申請號: 201811510204.4
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109979734B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 都筑慶一;松浦耕平;植木大志
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01F27/29
• 分類號: H01F27/29
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

提供一種線圈部件，能夠抑制線圈部件的外部電極中含有的Ag的遷移的產生。線圈部件(100)具有：由絕緣體構成的元件主體(1)；設置于元件主體(1)的內部或者表面的線圈導體；以及，設置于元件主體(1)的表面且與線圈導體導通的外部電極(3a、3b、3c、3d)。外部電極(3a、3b、3c、3d)具有含有平均粒徑為4.2μm～15μm的Ag粒子的含Ag的層。通過將Ag粒子的平均粒徑設為4.2μm～15μm，Ag粒子的晶界減少，可以抑制Ag的離子化反應。由此，可以對Ag的遷移的產生進行抑制。

技術領域

本發明涉及具備外部電極的線圈部件。

背景技術

線圈部件中有一種如下線圈部件，其具有：設置有線圈導體的元件主體以及以與線圈導體導通地設置在元件主體上的外部電極。

作為這種線圈部件之一，在專利文獻1中記載了一種線圈部件，其中，在非磁性體部與磁性體部進行層疊而成的層疊體的兩端面上，設置有含Ag的外部電極，在非磁性體部內設置有兩個線圈導體。

另外，在專利文獻2中記載了一種具備含Ag的外部電極的線圈部件。該線圈部件中，外部電極是使用含有平均粒徑為0.5μm～0.9μm的銀粉末、玻璃熔塊(glass frit)及有機載體的導電性膏形成的。認為通過這樣的構成，可以形成空洞少的致密的厚膜外部電極，可以提供可靠性高的線圈部件。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-73475號公報

專利文獻2：日本特開2005-5591號公報

發明內容

在此，將專利文獻2所記載的外部電極應用于專利文獻1中記載的線圈部件時，可以得到具有空洞少致密的厚膜外部電極的線圈部件，但是，由于兩個線圈導體之間的電位差，外部電極中含有的Ag發生遷移，外部電極之間有可能產生短路。

尤其是將線圈部件制成小型化而外部電極之間的距離變短時，容易發生Ag的遷移。

本發明是解決上述課題的發明，其目的在于提供一種能夠抑制外部電極中含有的Ag發生遷移的線圈部件。

本發明的線圈部件的特征在于，具有：由絕緣體構成的元件主體，在所述元件主體的內部或表面設置的線圈導體，以及，設置于所述元件主體的表面并與所述線圈導體導通的外部電極；其中，所述外部電極具有含Ag的層，所述含Ag的層含有平均粒徑為4.2μm～15μm的Ag粒子。

所述含Ag的層所含的Ag粒子的晶界長度與面積之比為1.1以下。

另外，其還可以具有設置在所述含Ag的層上的鍍覆層，所述鍍覆層的厚度為3.6μm～20μm。

所述的鍍覆層可以包括：含Ni的Ni層，以及，含有Sn且形成于所述Ni層上的Sn層；所述Ni層的厚度設為3μm以上。

所述元件主體可以是層疊有多個絕緣層的層疊體，所述線圈導體構成為具有設置于所述絕緣層上的平面導體，以及對設置于不同的絕緣層上的所述平面導體進行連接的層間導體。

所述絕緣層可以包括以鐵氧體為主成分的磁性體層及玻璃陶瓷層，所述線圈導體設置在所述玻璃陶瓷層的內部。

所述含Ag的層可以包含0.5重量％～2重量％的玻璃相，所述玻璃相包含Bi、Si、Zn和B中的至少一種。

所述含Ag的層的孔面積率可以為8.3％以下。

根據本發明的線圈部件，外部電極中含有的Ag粒子的平均粒徑是4.2μm～15μm，因此Ag粒子的粒界減少，從而可以抑制Ag的離子化反應。由此，可以抑制Ag的遷移的發生，可以抑制由Ag的遷移引起的外部電極之間的短路。

附圖說明