[發(fā)明專利]用于基于納米通道的核酸測序的設(shè)備和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811506772.7 | 申請日： | 2015-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN110055168B | 公開（公告）日： | 2023-02-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | F·費拉拉;M·A·比安凱西 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | C12M1/34 | 分類號： | C12M1/34;C12Q1/6869 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;范懷志 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 基于 納米 通道 核酸 設(shè)備 方法 | ||
1.一種用于核酸測序的設(shè)備，包括本體，所述本體容納：
流體回路，包括納米通道；
輸運裝置，被配置為使得核酸鏈移動通過所述納米通道；并且
其中所述輸運裝置包括第一電極、第二電極和第三電極，沿著所述納米通道設(shè)置，以便于與占據(jù)所述納米通道的流體接觸，所述第二電極設(shè)置在所述第一電極與所述第三電極之間，
其中所述納米通道具有長度和在垂直于所述長度的方向上的橫向尺寸，以致使得單個核酸鏈的一端能夠進入所述流體中并且當所述納米通道被占據(jù)時防止核酸鏈的其他鏈進入，以及
其中所述本體包括第一結(jié)構(gòu)層、第二結(jié)構(gòu)層以及在所述第一結(jié)構(gòu)層與所述第二結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置的具有納米厚度的間隔件層，并且所述納米通道被限定在所述第一結(jié)構(gòu)層與所述第二結(jié)構(gòu)層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，包括：
第一存在傳感器，被配置用于探測在所述納米通道的第一部分中是否存在所述核酸鏈，所述第一部分在所述第一電極與所述第二電極之間；以及
第二存在傳感器，被配置用于探測在所述納米通道的第二部分中是否存在所述核酸鏈，所述第二部分在所述第二電極與所述第三電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中：
所述第一存在傳感器包括第一阻抗計，所述第一阻抗計被配置用于確定在所述第一電極與所述第二電極之間的第一電阻抗；以及
所述第二存在傳感器包括第二阻抗計，所述第二阻抗計被配置用于確定在所述第二電極與所述第三電極之間的第二電阻抗。
4.一種用于核酸測序的設(shè)備，包括本體，所述本體容納：
流體回路，包括納米通道；
輸運裝置，被配置為使得核酸鏈移動通過所述納米通道；
第一電極、第二電極和第三電極，沿著所述納米通道而被設(shè)置，以便于與占據(jù)所述納米通道的流體接觸，所述第二電極被設(shè)置在所述第一電極與所述第三電極之間；以及
堿基探測裝置，所述堿基探測裝置被設(shè)置在探測位置處，并且被配置用于探測所述核酸鏈的在所述探測位置處前進的部分的堿基，其中所述堿基探測裝置包括多個場效應(yīng)探測器，每個場效應(yīng)探測器包括相應(yīng)的納米線以及與所述納米線相關(guān)聯(lián)的核酸探針，每個場效應(yīng)探測器的所述核酸探針由堿基的序列而限定，并且固定至相關(guān)聯(lián)的所述納米線，并且
其中所述本體包括第一結(jié)構(gòu)層、第二結(jié)構(gòu)層以及在所述第一結(jié)構(gòu)層與所述第二結(jié)構(gòu)層之間設(shè)置的具有納米厚度的間隔件層，并且所述納米通道被限定在所述第一結(jié)構(gòu)層與所述第二結(jié)構(gòu)層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中：
所述場效應(yīng)探測器的所述納米線相互平行，并且沿著所述納米通道接連地設(shè)置，
對于每個納米線，與所述納米線相關(guān)聯(lián)的所述核酸探針的類型不同于與其他所述納米線相關(guān)聯(lián)的所述核酸探針的類型，以及
所有所述核酸探針具有相同數(shù)目的堿基。
6.一種用于核酸測序的設(shè)備，包括：
具有第一部分和第二部分的結(jié)構(gòu)層；
納米通道，被定位在所述結(jié)構(gòu)層中并且在下部分和上部分之間；以及
第一電極、第二電極和第三電極，沿著所述納米通道而被設(shè)置，以便于與占據(jù)所述納米通道的流體接觸，所述第二電極被設(shè)置在所述第一電極與所述第三電極之間；
所述結(jié)構(gòu)層的所述第一部分包括限定所述納米通道的第一側(cè)的表面，所述表面沿著所述納米通道的整個長度是連續(xù)的；
所述結(jié)構(gòu)層的所述第二部分包括限定所述納米通道的第二側(cè)的表面，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對；
所述結(jié)構(gòu)層的所述第二部分包括第一井、第二井和第三井，所述第一井、所述第二井和所述第三井分別通向所述納米通道并且容納所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極；
具有納米厚度的間隔件層被設(shè)置在所述結(jié)構(gòu)層的所述第一部分與所述結(jié)構(gòu)層的所述第二部分之間。
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