[發(fā)明專利]顯示面板及顯示模組在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811504062.0 | 申請日: | 2018-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN109560085A | 公開(公告)日: | 2019-04-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 白思航 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 填充層 彎曲區(qū) 金屬走線 顯示面板 柔性材料 顯示區(qū)域 保護層 非顯示區(qū)域 顯示模組 清洗過程 不可逆 良率 酸液 申請 成型 外圍 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板及顯示模組,所述顯示面板包括顯示區(qū)域;位于所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域包括彎曲區(qū);金屬走線,位于所述彎曲區(qū);保護層,包括位于所述顯示區(qū)域的第一部分、以及位于所述彎曲區(qū)的第二部分,所述第二部分位于所述金屬走線與所述彎曲區(qū)內(nèi)的有機填充層之間。本申請通過在彎曲區(qū)的有機填充層與位于有機填充層上的金屬走線之間設置保護層,避免了所述有機填充層上的金屬走線成型時所產(chǎn)生的高溫,使所述有機填充層中的柔性材料發(fā)生不可逆的變化。另外,保護層防止清洗過程中酸液與柔性材料的接觸,保護了彎曲區(qū)的柔性材料,提高了顯示面板的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種顯示面板及顯示模組。
背景技術(shù)
隨著顯示行業(yè)技術(shù)的發(fā)展,用戶對顯示面板的外觀設計要求越來越高,因此柔性顯示面板的設計越來越重要。
現(xiàn)有技術(shù)中的顯示面板包括彎曲區(qū),所述彎曲區(qū)設置有有機填充層以及位于所述有機填充層上的金屬走線。所述金屬走線的金屬材料一般采用鈦鋁鈦(金屬鈦、金屬鋁以及金屬鈦的層疊設置),而形成此膜層結(jié)構(gòu)會釋放大量的熱量,導致彎曲區(qū)的柔性材料發(fā)生不可逆的變化,影響柔性顯示面板的彎曲性能。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板及顯示模組,以解決現(xiàn)有顯示面板彎曲區(qū)中柔性材料易損壞的技術(shù)問題。
為解決上述問題,本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下:
本申請?zhí)峁┮环N顯示面板,其包括:
顯示區(qū)域;
位于所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域包括彎曲區(qū);
金屬走線,位于所述彎曲區(qū);以及
保護層,包括位于所述顯示區(qū)域的第一部分、以及位于所述彎曲區(qū)的第二部分,所述第二部分位于所述金屬走線與所述彎曲區(qū)內(nèi)的有機填充層之間。
在本申請的顯示面板中,所述顯示面板包括基板、以及位于所述基板上的薄膜晶體管層;
其中,所述薄膜晶體管層包括在所述基板上依次堆疊的多層絕緣層、及形成于所述多層絕緣層上的源漏極層。
在本申請的顯示面板中,所述有機填充層與所述多層絕緣層具有重疊部分;
所述重疊部分位于所述多層絕緣層上。
在本申請的顯示面板中,所述重疊部分包括第一重疊部分和第二重疊部分;
靠近所述顯示區(qū)域的所述有機填充層的一側(cè)與所述多層絕緣層重疊以形成所述第一重疊部分,遠離所述顯示區(qū)域的所述有機填充層的一側(cè)與所述多層絕緣層重疊以形成所述第二重疊部分。
在本申請的顯示面板中,所述多層絕緣層包括第一柵絕緣層、位于所述第一柵絕緣層上的第二柵絕緣層、及位于所述第二柵絕緣層上的間絕緣層;
所述保護層與所述間絕緣層同層設置。
在本申請的顯示面板中,所述第一部分與所述第二部分同層設置。
在本申請的顯示面板中,所述保護層的膜層厚度為90納米至110納米。
在本申請的顯示面板中,所述保護層為無機膜層。
在本申請的顯示面板中,所述金屬走線與位于所述源漏極層同層設置。
本申請還提出了一種顯示模組,所述顯示模組包括觸控層、偏光層、蓋板層以及上述顯示面板;
其中,所述觸控層、所述偏光層及所述蓋板層設置于所述顯示面板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





