[發明專利]用于形成薄層的方法和設備

在審

• 申請號: 201811503187.1
• 申請日: 2018-12-10
• 公開（公告）號: CN110047732A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 李脧英;鄭舜旭;具奉珍;文平;鄭淑真
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;陳曉博

公開了用于形成薄層的方法和設備。用于形成薄層的方法包括：提供包括圖案的基底；在基底上形成結合層，結合層覆蓋圖案之間的間隙的內表面；在結合層上形成填充間隙的預備層；以及對預備層進行熱處理以形成薄層。結合層是使用有機硅烷單體形成的自組裝單體層。預備層由包括聚硅烷的可流動的組合物形成。

本申請要求于2018年1月15日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0004967號韓國專利申請和于2018年4月16日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0043819號韓國專利申請的優先權，所述韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

發明構思涉及用于形成薄層的方法和設備。

背景技術

在制造高度集成的半導體器件的過程中形成精細的圖案是必要的。為了在小區域內集成許多器件，單個器件的尺寸需要最小化，因此，減小與待形成的每個圖案的寬度和相鄰圖案之間的間隔的總和對應的間距會是必要的。隨著近來半導體器件的設計規格已經迅速減小，正在大力研究制造使用精細間距圖案的半導體器件的工藝技術。

發明內容

發明構思的一些實施例提供了用于形成薄層的方法和設備，其中，在填充圖案之間的間隙的薄層中減少了缺陷的發生。

根據發明構思的示例性實施例，一種用于形成薄層的方法可以包括：提供包括圖案的基底；在基底上形成結合層，結合層覆蓋圖案之間的間隙的內表面；在結合層上形成預備層以填充間隙；以及對預備層進行熱處理以形成薄層，其中，結合層是使用有機硅烷單體形成的自組裝單體層，其中，預備層由包括聚硅烷的可流動的組合物形成。

根據發明構思的示例性實施例，一種用于形成薄層的方法可以包括：在基底上形成結合層；在結合層上形成預備層；以及對預備層進行熱處理以形成硅層，其中，結合層是使用有機硅烷單體形成的自組裝單體層，其中，預備層由包括聚硅烷的可流動的組合物形成。

根據發明構思的示例性實施例，一種用于形成薄層的設備可以包括：第一處理室，在其中執行第一涂覆工藝；第一供應管，與第一處理室關聯，用于將液體組合物供應到第一處理室中；第一焙燒室，在其中執行第一焙燒工藝；第二處理室，在其中執行第二涂覆工藝；第二供應管，與第二處理室關聯，用于將氣態的氣體源供應到第二處理室中；以及第二焙燒室，在其中執行第二焙燒工藝，其中，第一處理室、第一焙燒室、第二處理室和第二焙燒室通過緩沖模塊彼此連接。

附圖說明

圖1示出了呈現根據發明構思的示例性實施例的用于形成薄層的方法的流程圖。

圖2示出了詳細呈現圖1中的S200的步驟的流程圖。

圖3示出了呈現根據發明構思的示例性實施例的圖1中的S300的步驟的流程圖。

圖4示出了呈現根據發明構思的示例性實施例的圖1中的S300的步驟的流程圖。

圖5、圖6、圖8和圖9示出了呈現根據發明構思的示例性實施例的用于形成薄層的方法的剖視圖。

圖7A和圖7B示出了呈現圖6的部分A的放大視圖。

圖10示出了呈現根據發明構思的示例性實施例的用于形成薄層的設備的平面圖。

圖11示出了呈現圖10的第一處理室或第二處理室的簡化剖視圖。

圖12和圖13示出了呈現圖10的第二處理室的簡化剖視圖。

具體實施方式

下面將結合附圖詳細描述發明構思的示例性實施例。