[發明專利]顯示單元、顯示單元的制作方法和有機發光二極管顯示器有效
| 申請號: | 201811497360.1 | 申請日: | 2018-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN109638045B | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 向明;王碩晟 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 單元 制作方法 有機 發光二極管 顯示器 | ||
1.一種顯示單元,其特征在于,所述顯示單元包括:
基板;
位于所述基板上方的薄膜晶體管層;
位于所述薄膜晶體管層上方,與所述薄膜晶體管層中的源漏走線層相連接的陽極金屬層;
位于陽極金屬層上方的像素定義層,所述像素定義層上具有貫穿所述像素定義層的連通孔;
位于像素定義層上方的發光結構;其中,
所述像素定義層包括位于所述陽極金屬層上方的第一疊層和位于所述第一疊層上方的第二疊層,所述第二疊層中具有均勻分布的干燥劑;
所述第一疊層由帶有第一官能團的高分子材料構成,所述第一官能團包括烯基、羧基、胺基中的一種或多種;
所述第二疊層由帶有第二官能團的高分子材料構成,所述第二官能團包括烯基、羧基、胺基中的一種或多種;其中,當溫度升高后,第一疊層和第二疊層相鄰處的第二官能團和第一官能團能夠發生化學反應,形成第三疊層,所述第三疊層為致密的網狀結構。
2.根據權利要求1所述的顯示單元,其特征在于,構成所述第一疊層的高分子材料和構成所述第二疊層的高分子材料相同,且所述第一疊層和第二疊層的高度比為1:1到1:2之間。
3.根據權利要求1所述的顯示單元,其特征在于,所述像素定義層還包括位于第二疊層上方的第四疊層,所述第四疊層具有和所述第一疊層相同的結構和材料。
4.根據權利要求1所述的顯示單元,其特征在于,所述干燥劑為物理型干燥劑和/或化學型干燥劑,包括硅膠、氧化鈣、碳酸鈣中的一種或幾種的組合;其中,所述干燥劑為具有相同形狀的顆粒狀固體,均勻的分布在所述第二疊層中。
5.一種顯示單元的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供基板;
形成位于所述基板上方的薄膜晶體管層;
形成位于所述薄膜晶體管層上方,與所述薄膜晶體管層中的源漏走線層相連接的陽極金屬層;
形成位于陽極金屬層上方的像素定義層,并在所述像素定義層上形成具有貫穿所述像素定義層的連通孔;
形成位于像素定義層上方的發光結構;其中,
所述像素定義層包括位于所述陽極金屬層上方的第一疊層和位于所述第一疊層上方的第二疊層,所述第二疊層中具有均勻分布的干燥劑;
所述第一疊層由帶有第一官能團的高分子材料構成,所述第一官能團包括烯基、羧基、胺基中的一種或多種;所述第二疊層由帶有第二官能團的高分子材料構成,所述第二官能團包括烯基、羧基、胺基中的一種或多種;其中,當溫度升高后,第一疊層和第二疊層相鄰處的第二官能團和第一官能團能夠發生化學反應,形成第三疊層,所述第三疊層為致密的網狀結構。
6.根據權利要求5所述的顯示單元的制作方法,其特征在于,構成所述第一疊層的高分子材料和構成所述第二疊層的高分子材料相同,且所述第一疊層和第二疊層的高度比為1:1到1:2之間。
7.根據權利要求5所述的顯示單元的制作方法,其特征在于,所述像素定義層還包括位于第二疊層上方的第四疊層,所述第四疊層具有和所述第一疊層相同的結構和材料。
8.一種有機發光二極管顯示器,其特征在于,所述有機發光二極管顯示器包括顯示單元,所述顯示單元包括:
基板;
位于所述基板上方的薄膜晶體管層;
位于所述薄膜晶體管層上方,與所述薄膜晶體管層中的源漏走線層相連接的陽極金屬層;
位于陽極金屬層上方的像素定義層,所述像素定義層上具有貫穿所述像素定義層的連通孔;
位于像素定義層上方的發光結構;其中,
所述像素定義層包括位于所述陽極金屬層上方的第一疊層和位于所述第一疊層上方的第二疊層,所述第二疊層中具有均勻分布的干燥劑;
所述第一疊層由帶有第一官能團的高分子材料構成,所述第一官能團包括烯基、羧基、胺基中的一種或多種;
所述第二疊層由帶有第二官能團的高分子材料構成,所述第二官能團包括烯基、羧基、胺基中的一種或多種;其中,當溫度升高后,第一疊層和第二疊層相鄰處的第二官能團和第一官能團能夠發生化學反應,形成第三疊層,所述第三疊層為致密的網狀結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





