[發明專利]組合傳感器在審
| 申請號： | 201811496462.1 | 申請日： | 2018-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN109362013A | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 王德信;楊軍偉;潘新超;端木魯玉;邱文瑞 | 申請（專利權）人： | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人： | 胡海國 |
| 地址： | 261031 山東省濰*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 組合傳感器 基板 上表面 最短距離 電連接 寄生電容效應 電容式結構 本底噪聲 電磁感應 工作電壓 交流電壓 下表面 減小 | ||
1.一種組合傳感器，其特征在于，所述組合傳感器包括：
基板，所述基板具有上表面和下表面；
第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安裝至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片電連接，所述第一MEMS芯片為電容式結構；以及
第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安裝至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片電連接，所述第二MEMS芯片的工作電壓為交流電壓；
所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距離為d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距離為d2，d2≥1.2mm。
2.如權利要求1所述的組合傳感器，其特征在于，所述最短距離d1形成于所述第一MEMS芯片的側面和所述第二ASIC芯片的側面之間；
所述最短距離d2形成于所述第一ASIC芯片的側面和所述第二ASIC芯片的側面之間。
3.如權利要求1所述的組合傳感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片呈長方體，所述第一ASIC芯片呈長方體，所述第二ASIC芯片呈長方體；
所述最短距離d1形成于所述第一MEMS芯片的側棱與所述第二ASIC芯片的側棱之間；
所述最短距離d2形成于所述第一ASIC芯片的側棱和所述第二ASIC芯片的側棱之間。
4.如權利要求1至3任一項所述的組合傳感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片與所述第二MEMS芯片的最短距離的連線為a，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距離的連線為b，a與b相交。
5.如權利要求4所述的組合傳感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片并排設置。
6.如權利要求1所述的組合傳感器，其特征在于，所述基板呈矩形，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分布在所述基板的對角方向上。
7.如權利要求1所述的組合傳感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片的體積小于所述第二MEMS芯片或第二ASIC芯片的體積；
和/或，所述第一MEMS芯片的工作電壓為直流電壓；
和/或，所述基板為電路板。
8.如權利要求1所述的組合傳感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片為麥克風芯片。
9.如權利要求8所述的組合傳感器，其特征在于，所述基板設有聲孔，所述麥克風芯片覆蓋所述聲孔。
10.如權利要求1所述的組合傳感器，其特征在于，所述組合傳感器還包括罩殼，所述罩殼設于所述基板的上表面，與所述基板限定出封裝腔；
所述第一MEMS芯片、所述第一ASIC芯片、所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片設于所述封裝腔。
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