[發明專利]一種新型低功耗漏電保護器

有效

• 申請號: 201811495612.7
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN111293669B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 何波
• 申請（專利權）人: 格述電子技術（上海）有限公司
• 主分類號: H02H3/32
• 分類號: H02H3/32
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 趙繼明

1.一種新型低功耗漏電保護器，包括交流電源（1）、可控硅（2）、信號處理模塊（3）、電流互感器（4）、可控硅電流驅動模塊、取電電路模塊，所述交流電源（1）接入所述取電電路模塊，所述取電電路模塊的輸出端生成低壓直流電源以向其他模塊供電，所述電流互感器（4）的信號輸出至所述信號處理模塊（3），所述信號處理模塊（3）生成使能信號用于控制所述可控硅電流驅動模塊，所述可控硅電流驅動模塊與所述可控硅（2）的控制端連接，其特征在于，所述新型低功耗漏電保護器還包括測壓使能模塊，所述可控硅電流驅動模塊還受到所述測壓使能模塊的使能控制，所述測壓使能模塊僅在監測到所述取電電路模塊的輸出電壓滿足一定條件時，才允許輸出驅動所述可控硅（2）的電流，即僅當所述測壓使能模塊和所述信號處理模塊（3）均輸出有效使能信號時，才允許所述可控硅電流驅動模塊輸出驅動所述可控硅（2）的導通電流；

所述的測壓使能模塊包括第三電阻（14）、第四電阻（15）、基準電壓源（16）和第一比較器（17），所述第一比較器（17）的信號輸入端正極分別經過所述第三電阻（14）和所述第四電阻（15）后對應接于VDD連接端和GND連接端，所述基準電壓源（16）的正負極與所述第一比較器（17）的正負極均對應接于所述VDD連接端和所述GND連接端以接收供電，所述基準電壓源（16）的基準電壓輸出端接于所述第一比較器（17）的信號輸入端負極，所述第一比較器（17）的輸出端與所述可控硅電流驅動模塊的二號使能端連接。

2.根據權利要求1所述的一種新型低功耗漏電保護器，其特征在于，所述的取電電路模塊包括第一二極管（5）、第一電阻（6）、第一電容（7）和第一齊納二極管（8），所述第一二極管（5）的正極與所述交流電源（1）的火線連接，所述第一二極管（5）的負極通過所述第一電阻（6）后與所述第一齊納二極管（8）的負極連接，所述第一齊納二極管（8）的正極與所述交流電源（1）的零線連接，所述第一電容（7）的兩端與所述第一齊納二極管（8）的正負極并聯連接，所述第一電容（7）形成的直流電源通過VDD連接端和GND連接端向其他模塊提供直流供電。

3.一種新型低功耗漏電保護器，包括交流電源（1）、可控硅（2）、信號處理模塊（3）、電流互感器（4）、可控硅電流驅動模塊、取電電路模塊，所述交流電源（1）接入所述取電電路模塊，所述取電電路模塊的輸出端生成低壓直流電源以向其他模塊供電，所述電流互感器（4）的信號輸出至所述信號處理模塊（3），所述信號處理模塊（3）生成使能信號用于控制所述可控硅電流驅動模塊，所述可控硅電流驅動模塊與所述可控硅（2）的控制端連接，其特征在于，所述新型低功耗漏電保護器還包括測壓使能模塊，所述可控硅電流驅動模塊還受到所述測壓使能模塊的使能控制，所述測壓使能模塊僅在監測到所述取電電路模塊的輸出電壓滿足一定條件時，才允許輸出驅動所述可控硅（2）的電流，即僅當所述測壓使能模塊和所述信號處理模塊（3）均輸出有效使能信號時，才允許所述可控硅電流驅動模塊輸出驅動所述可控硅（2）的導通電流；

所述的測壓使能模塊包括MOS管組件、第一倒相器（18）、第一MOS管（19）和第五電阻（20），所述第一倒相器（18）的輸出端與所述可控硅電流驅動模塊的二號使能端連接，VDD連接端經過所述第五電阻（20）后與所述第一倒相器（18）的輸入端連接，GND連接端與所述第一MOS管（19）的源極連接，所述第一MOS管（19）的漏極也與所述第一倒相器（18）的輸入端連接，所述MOS管組件中的p溝道MOS管（21）的源極和n溝道MOS管（22）的源極分別與所述VDD連接端和所述GND連接端對應連接，所述MOS管組件中的n溝道MOS管（22）的柵極與所述第一MOS管（19）的柵極連接。