[發(fā)明專利]發(fā)光音頻裝置、音頻輸出裝置和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811495560.3 | 申請日: | 2018-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN110047827B | 公開(公告)日: | 2023-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林基成;鄭東烈 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/06;H01L33/00;H04R1/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 音頻 裝置 輸出 顯示裝置 | ||
1.一種發(fā)光音頻裝置,該發(fā)光音頻裝置包括:
發(fā)光二極管,該發(fā)光二極管包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層;
壓電裝置,該壓電裝置包括第一電極層、第二電極層以及設(shè)置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的壓電材料;
絕緣體,該絕緣體被設(shè)置在所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置之間;
保護(hù)部分,該保護(hù)部分被設(shè)置在所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置中的至少一個(gè)的頂表面上;以及
多個(gè)電極,所述多個(gè)電極位于所述保護(hù)部分上以電連接到所述發(fā)光二極管或所述壓電裝置,
其中,所述多個(gè)電極當(dāng)中的至少一個(gè)電極通過位于所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置中的至少一個(gè)內(nèi)的通孔電連接到所述發(fā)光二極管或所述壓電裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光音頻裝置,其中,所述發(fā)光二極管、所述絕緣體和所述壓電裝置彼此層疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光音頻裝置,其中,所述壓電裝置位于所述發(fā)光二極管的一側(cè),并且
所述絕緣體被設(shè)置在所述發(fā)光二極管的側(cè)表面和所述壓電裝置的側(cè)表面之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光音頻裝置,其中,所述多個(gè)電極當(dāng)中的一個(gè)電極電連接到所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述第一電極層和所述第二電極層中的一個(gè),同時(shí)與所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述第一電極層和所述第二電極層中的其它層絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光音頻裝置,其中,所述多個(gè)電極包括:
電連接到所述第一半導(dǎo)體層的第一發(fā)光電極;
電連接到所述第二半導(dǎo)體層的第二發(fā)光電極;
電連接到所述第一電極層的第一音頻電極;以及
電連接到所述第二電極層的第二音頻電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光音頻裝置,其中,所述壓電裝置的所述壓電材料包括具有式AB的晶體結(jié)構(gòu)的化合物。
7.一種音頻輸出裝置,該音頻輸出裝置包括:
基板;
設(shè)置在所述基板上的多個(gè)發(fā)光音頻裝置;以及
驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)發(fā)光音頻裝置的第一驅(qū)動(dòng)器電路和第二驅(qū)動(dòng)器電路,
其中,所述多個(gè)發(fā)光音頻裝置中的每一個(gè)包括:
-發(fā)光二極管,該發(fā)光二極管包括第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層以及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層;
-壓電裝置,該壓電裝置包括第一電極層、第二電極層以及設(shè)置在所述第一電極層和所述第二電極層之間的壓電材料;
-絕緣體,該絕緣體被設(shè)置在所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置之間;
-保護(hù)部分,該保護(hù)部分被設(shè)置在所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置中的至少一個(gè)的頂表面上;以及
-多個(gè)電極,所述多個(gè)電極位于所述保護(hù)部分上以電連接到所述發(fā)光二極管或所述壓電裝置,
其中,所述多個(gè)電極當(dāng)中的至少一個(gè)電極通過位于所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置中的至少一個(gè)內(nèi)的通孔電連接到所述發(fā)光二極管或所述壓電裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的音頻輸出裝置,其中,在所述多個(gè)發(fā)光音頻裝置中的每一個(gè)中,所述多個(gè)電極當(dāng)中的一個(gè)電極通過位于所述發(fā)光二極管和所述壓電裝置中的至少一個(gè)內(nèi)的所述通孔電連接到所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述第一電極層和所述第二電極層中的一個(gè),同時(shí)與所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述第一電極層和所述第二電極層中的其它層絕緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的音頻輸出裝置,其中,所述多個(gè)電極包括:
電連接到所述第一半導(dǎo)體層的第一發(fā)光電極;
電連接到所述第二半導(dǎo)體層的第二發(fā)光電極;
電連接到所述第一電極層的第一音頻電極;以及
電連接到所述第二電極層的第二音頻電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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