[發(fā)明專利]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811494524.5 | 申請日： | 2018-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN110034159B | 公開（公告）日： | 2023-10-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林京男;鄭裕澔;金東瑛 | 申請（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號： | H10K59/131 | 分類號： | H10K59/131;H10K59/12;H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 趙彤;劉久亮 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：
基板，所述基板包括顯示區(qū)域；
第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管設(shè)置在所述顯示區(qū)域中，所述第一薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、第一柵電極、第一源電極和第一漏電極；
第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設(shè)置在所述顯示區(qū)域中，所述第二薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、第二柵電極、第二源電極和第二漏電極；
保護(hù)膜，所述保護(hù)膜設(shè)置在所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管上，所述保護(hù)膜由無機絕緣材料形成；
儲存電容器，所述儲存電容器包括上部儲存電極和下部儲存電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述下部儲存電極設(shè)置在與所述第一薄膜晶體管的所述第一柵電極相同的平面中，并且由與所述第一柵電極相同的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層與所述第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層之間的第一下部層間絕緣膜、第二下部層間絕緣膜和上部緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括：
遮光層，所述遮光層與所述第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述儲存電容器的所述上部儲存電極設(shè)置在與所述遮光層相同的平面中并且由與所述遮光層相同的材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述上部緩沖層和所述第二下部層間絕緣膜設(shè)置在所述遮光層與所述第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述上部緩沖層由硅氧化物SiOx形成，并且所述第一下部層間絕緣膜和所述第二下部層間絕緣膜由硅氮化物SiNx形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一薄膜晶體管的所述第一源電極和所述第一漏電極以及所述第二薄膜晶體管的所述第二源電極和所述第二漏電極設(shè)置在相同的平面中并且由相同的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述第一薄膜晶體管的半導(dǎo)體層為多晶半導(dǎo)體層，并且其中，所述第二薄膜晶體管的半導(dǎo)體層為氧化物半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，所述顯示裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述顯示區(qū)域中的多個接觸孔。
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