[發明專利]一種低寄生電感的功率模塊

有效

• 申請號: 201811494310.8
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109768038B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 牛利剛;王玉林;滕鶴松;楊陽
• 申請（專利權）人: 揚州國揚電子有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/498;H01L23/495
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 饒欣

1.一種低寄生電感的功率模塊，包括正電極(3)、負電極(4)、輸出電極(5)、底板(6)和設于底板(6)上的絕緣基板，絕緣基板頂部的銅層包括分離的上橋臂銅層(11)和下橋臂銅層(12)，上橋臂銅層(11)上設有上橋臂芯片單元，下橋臂銅層(12)上設有下橋臂芯片單元，正電極(3)與上橋臂芯片單元電連接，負電極(4)與下橋臂芯片單元電連接，其特征在于：輸出電極(5)連接下橋臂銅層(12)；正電極(3)至少有部分位于上橋臂銅層(11)與下橋臂銅層(12)之間，或者正電極(3)至少有部分位于上橋臂銅層(11)與下橋臂銅層(12)之間的上方；負電極(4)至少有部分位于上橋臂銅層(11)與下橋臂銅層(12)之間，或者負電極(4)至少有部分位于上橋臂銅層(11)與下橋臂銅層(12)之間的上方；

所述正電極(3)包括與上橋臂芯片單元電連接的正電極焊腳(33)，正電極焊腳(33)連接正電極連接部(32)，正電極連接部(32)連接正電極引出部(31)，正電極焊腳(33)的一端與上橋臂銅層(11)直接相連；負電極(4)包括與下橋臂芯片單元電連接的負電極焊腳(43)，負電極焊腳(43)連接負電極連接部(42)，負電極連接部(42)連接負電極引出部(41)，負電極焊腳(43)的一端直接與下橋臂銅層(12)相連；正電極連接部(32)與負電極連接部(42)平行；

所述上橋臂芯片單元與下橋臂芯片單元均有多個，且上橋臂芯片單元的數量和下橋臂芯片單元的數量相同，正電極焊腳(33)設置在相鄰兩個上橋臂芯片單元之間，負電極焊腳(43)設置在相鄰兩個下橋臂芯片單元之間。

2.根據權利要求1所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述正電極(3)的部分或者全部與負電極(4)的部分或者全部平行。

3.根據權利要求1所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述下橋臂銅層(12)包括互相分離的下橋臂主體銅層和下橋臂過渡銅層(123)，下橋臂芯片單元設置在下橋臂主體銅層上，負電極(4)連接下橋臂過渡銅層(123)，下橋臂過渡銅層(123)通過下橋臂芯片單元表面鍵合線連接下橋臂芯片單元。

4.根據權利要求3所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述下橋臂芯片單元有多個，相鄰兩個下橋臂芯片單元之間均設有下橋臂過渡銅層(123)。

5.根據權利要求1所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元與下橋臂芯片單元均有多個，且上橋臂芯片單元的數量和下橋臂芯片單元的數量相同，各個上橋臂芯片單元到正電極連接部(32)之間的距離相同，各個下橋臂芯片單元到正電極連接部(32)之間的距離相同。

6.根據權利要求5所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元與下橋臂銅層(12)之間通過鍵合線連接。

7.根據權利要求1所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述上橋臂芯片單元包括上橋臂開關芯片(111)和上橋臂二極管芯片(112)，或者所述上橋臂芯片單元包括上橋臂開關芯片(111)。

8.根據權利要求1所述的低寄生電感的功率模塊，其特征在于：所述下橋臂芯片單元包括下橋臂開關芯片(121)和下橋臂二極管芯片(122)，或者所述下橋臂芯片單元包括下橋臂開關芯片(121)。