[發明專利]具有場板的半導體器件

在審

• 申請號: 201811493907.0
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109904226A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發明（設計）人: 水江千帆子;吉田智洋
• 申請（專利權）人: 住友電工光電子器件創新株式會社;住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李銘;盧吉輝

1.一種場效應晶體管類型的晶體管，其具有漏極、源極和柵極，所述晶體管包括：

半導體疊層，其具有有源區和將所述有源區夾在其間的非有源區，所述有源區中設置有所述漏極、所述源極和所述柵極；

漏極互連件，其包括漏極總線和漏極指，所述漏極總線設置在所述非有源區中的一個非有源區中，所述漏極指實質上平行于所述柵極延伸并且與所述漏極重疊；

源極互連件，其包括源極總線和源極指，所述源極總線設置在所述非有源區中的另一個非有源區中，所述源極指實質上平行于所述柵極延伸并且與所述源極重疊；以及

場板，其包括場板指和場板互連件，所述場板指實質上平行于在所述柵極和所述漏極之間的區域中的所述柵極延伸，所述場板指與所述柵極部分地重疊，

其中，所述場板互連件設置在所述非有源區的所述另一個非有源區中并且將所述場板指和所述源極互連件連接。

2.根據權利要求1所述的晶體管，

其中,所述場板互連件在所述另一個非有源區中從所述柵極上方通過。

3.根據權利要求1所述的晶體管，

其中，所述場板互連件在所述另一個非有源區中從所述柵極下方通過。

4.根據權利要求3所述的晶體管，

其中,所述場板指經由通孔與所述場板互連件連接。

5.根據權利要求1所述的晶體管，

其中，所述場板互連件垂直于所述柵極和所述源極延伸。

6.根據權利要求1所述的晶體管，

其中，所述場板互連件將所述場板指和所述源極指連接。

7.根據權利要求1所述的晶體管，

其中，所述場板互連件將所述場板指和所述源極總線連接。

8.根據權利要求7所述的晶體管，

其中，所述場板互連件還將所述場板指和所述源極指連接。