[發(fā)明專(zhuān)利]基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的封裝結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811493322.9
• 申請(qǐng)日: 2018-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109449149A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 全慶霄;姜巖峰;張巧杏;袁野;王輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫豪幫高科股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/16
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/16;H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 北京中濟(jì)緯天專(zhuān)利代理有限公司 11429
• 代理人: 趙海波;曹鍵

本發(fā)明涉及的一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括金屬引線框架，金屬引線框架上通過(guò)錫膏焊接有源器件和無(wú)源器件，金屬引線框架上通過(guò)銀膠粘貼芯片。芯片中有一個(gè)芯片具有光靈敏控制集成電路，光靈敏控制集成電路中包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第一電阻以及第二電阻；其中：第一三極管和第四三極管是PNP晶體管，第二三極管和第三三極管是NPN晶體管。本發(fā)明的一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的封裝結(jié)構(gòu)具有提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，保證生產(chǎn)產(chǎn)品質(zhì)量的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的SIP集成電路封裝結(jié)構(gòu)一般單獨(dú)采用一級(jí)封裝或者二級(jí)封裝中的一種形式進(jìn)行生產(chǎn)。

一級(jí)封裝，是指元器件和多種芯片在金屬引線框架上做的封裝，芯片通過(guò)銀膠安裝在引線框架上。

二級(jí)封裝，是指各種元器件和集成電路，通過(guò)SMT方式焊接在線路板上。SMT是表面組裝技術(shù)(表面貼裝技術(shù))(Surface Mount Technology的縮寫(xiě))，稱(chēng)為表面貼裝或表面安裝技術(shù)。是目前電子組裝行業(yè)里最流行的一種技術(shù)和工藝。SMT是一種將無(wú)引腳或短引線表面組裝元器件(簡(jiǎn)稱(chēng)SMC/SMD，中文稱(chēng)片狀元器件)安裝在印制電路板(Printed CircuitBoard，PCB)的表面或其它基板的表面上，通過(guò)回流焊或浸焊等方法加以焊接組裝的電路裝連技術(shù)。PCB板精度不夠不符合摩爾定律，二級(jí)封裝存在散熱困難的缺陷。

一級(jí)封裝多個(gè)半導(dǎo)體芯片和元器件在金屬框架上封裝都是采用裝片銀膠的方式，粘接在金屬框架上。

而二級(jí)封裝是采用錫膏將各種元器件和集成電路及接口焊接在線路板上的。

裝片銀膠工藝性能好，導(dǎo)電性能散熱性能也相當(dāng)優(yōu)異。但是，在多種元器件封裝時(shí)，有源器件如MOS，無(wú)源器件如電阻電容，和硅材料的芯片封裝在同一封裝體內(nèi)時(shí)，0.05mm²焊接尺寸的電阻電容采用1mm級(jí)別的硅芯片的銀膠裝片工藝時(shí)，速度慢、精度低。

傳統(tǒng)的多芯片封裝結(jié)構(gòu)中的光耦電路中的光接收電路，具有驅(qū)動(dòng)電流小、驅(qū)動(dòng)能力弱的特點(diǎn)，電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，保證生產(chǎn)產(chǎn)品質(zhì)量的一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的封裝結(jié)構(gòu)，且內(nèi)部的光耦電路中的光接收電路具有驅(qū)動(dòng)電流大、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的特點(diǎn)，該該電路可直接連接220V的交流電壓，簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種基于高靈敏高耐壓光耦合芯片模塊的封裝結(jié)構(gòu)，它包括金屬引線框架，金屬引線框架上通過(guò)錫膏焊接有源器件和無(wú)源器件，金屬引線框架上通過(guò)銀膠粘貼芯片。

芯片中有一個(gè)芯片具有光靈敏控制集成電路，光靈敏控制集成電路中包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第一電阻以及第二電阻；

其中：第一三極管和第四三極管是PNP晶體管，

第二三極管和第三三極管是NPN晶體管，

其中：第一三極管、第二三極管和第一電阻組成正半周電路，第四三極管、第三三極管和第二電阻組成負(fù)半周電路，正半周電路和負(fù)半周電路頭尾相連構(gòu)成了整個(gè)電路，第一三極管、第二三極管、第四三極管、第三三極管形成一個(gè)逆時(shí)針的回路，第一電阻連接于第二三極管的發(fā)射極和基極之間，第二電阻連接于第三三極管的發(fā)射極和基極之間；

其中：第一三極管的集電極連接第二三極管的基極，第二三極管的基極連接第一三極管的基極，該電路接交流電壓。

有源器件為分立器件或者集成電路，無(wú)源器件為電阻、電感或者電容，分立器件為二極管、三極管、MOS管或者可控硅。