[發(fā)明專利]去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法

在審

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• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109599325A
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 穆帥帥;賀賢漢
• 申請（專利權(quán)）人: 富樂德科技發(fā)展（天津）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 天津市尚儀知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 12217
• 代理人: 高正方

一種去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，包括以下步驟：將料板浸入裝有純水的預(yù)處理容器中，預(yù)浸1?5min；將預(yù)處理后的料板置入第一處理容器中處理1?5min，第一處理容器中裝有氫氟酸和硝酸的混合溶液，按重量比硝酸與氫氟酸之間比值為1：3?1：5，氫氟酸與純水之間的比值為1：20；將料板置入第二處理容器中處理1?5min，第二處理容器中裝有氫氟酸和鹽酸的混合溶液，按重量比鹽酸與氫氟酸之間比值為1：3?1：5，氫氟酸與純水之間的比值為1：7；將料板置入第三處理容器中處理1?5min，第三容器中裝有純水；在60℃下烘干2?10min。本發(fā)明技術(shù)簡單、易于實施，且處理效率更高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體說是一種去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法。

背景技術(shù)

集成電路目前應(yīng)用于各種電氣和電子設(shè)備行業(yè)。純半導(dǎo)體材料的晶片是通過電子電路逐漸產(chǎn)生的多個步驟進(jìn)行加工的。經(jīng)過這幾年小型化發(fā)展，對在每個加工步驟的清潔提出了更高的要求。此外，由于目前晶片的特征尺寸低于25nm，高密度等離子體沖蝕條件下處理室的耐腐蝕已成為一個關(guān)鍵問題，因為從設(shè)備表面釋放的顆粒會在晶片上產(chǎn)生缺陷。這種缺陷會導(dǎo)致晶片報廢，影響了設(shè)備的產(chǎn)量。

采用高純氧化釔涂層替代原有的鋁陽極氧化涂層，能極大地提高抗腐蝕性。氧化釔目前應(yīng)用于嚴(yán)苛的等離子沖蝕條件下的涂層處理室。然而，盡管這種材料的抗腐蝕性優(yōu)于鋁陽極氧化材料，獲得高致密度的涂層仍然是一個首要的目標(biāo)，因為它直接影響著涂層的抗侵蝕速率和抵抗顆粒釋放的能力。在半導(dǎo)體元件的生產(chǎn)過程中，高致密氧化釔涂層表面往往會附著二氧化硅薄膜，而二氧化硅薄膜較難去除，繼而會影響整體的生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法。

本發(fā)明為解決公知技術(shù)中存在的技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是:

本發(fā)明的去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，包括以下步驟：

A、將料板浸入裝有純水的預(yù)處理容器中，預(yù)浸1-5min；

B、將預(yù)處理后的料板置入第一處理容器中處理1-5min，第一處理容器中裝有氫氟酸和硝酸的混合溶液，其中按重量比硝酸與氫氟酸之間比值為1：3-1：5，氫氟酸與純水之間的比值為1：20；

C、將料板置入第二處理容器中處理1-5min，第二處理容器中裝有氫氟酸和鹽酸的混合溶液，其中按重量比鹽酸與氫氟酸之間比值為1：3-1：5，氫氟酸與純水之間的比值為1：7；

D、將料板置入第三處理容器中處理1-5min，第三容器中裝有純水；

E、在60℃下烘干2-10min。

本發(fā)明還可以采用以下技術(shù)措施：

按重量比硝酸與氫氟酸之間比值為1：4。

按重量比鹽酸與氫氟酸之間比值為1：4。

本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:

本發(fā)明的去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法中，將料板依次經(jīng)過硝酸、氫氟酸溶液和鹽酸、氫氟酸溶液的處理，將附著于氧化釔涂層的二氧化硅有效清除，本發(fā)明的清洗方法技術(shù)簡單、易于實施，處理時可以依次執(zhí)行，具有較高的工作效率。

具體實施方式

以下通過具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。

實施例1：

本發(fā)明的去除附著于高致密氧化釔涂層表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，包括以下步驟：

A、將料板浸入裝有純水的預(yù)處理容器中，預(yù)浸1min；