[發明專利]一種Micro-LED巨量轉移的結構及方法

在審

• 申請號: 201811491651.X
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109599354A
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 崔成強;賴韜;楊斌;楊冠南;劉強;陳新
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48
• 代理公司: 佛山市禾才知識產權代理有限公司 44379
• 代理人: 劉羽波;資凱亮

1.一種Micro-LED巨量轉移的結構，其特征在于，該結構是多層膜結構，分為三層，包括保護膜層、臨時鍵合膠層和高分子透明薄膜拉伸層；

所述臨時鍵合膠層為中間層；

所述保護膜層覆蓋在臨時鍵合膠層的粘合面；

臨時鍵合膠層設置在高分子透明薄膜拉伸層的表面；

臨時鍵合膠層用于粘取晶圓上的芯片。

2.根據權利要求1所述的Micro-LED巨量轉移的結構，其特征在于，所述臨時鍵合膠層具有粘性；

所述臨時鍵合膠層的材料是聚烴基丙烯酸酯類、聚苯基乙烯類、聚酯類或者丙烯酸類熱塑型樹脂中的一種或數種；

上述材料中的碳碳雙鍵或酯基易在激光照射下解鍵合使臨時鍵合膠層失去粘性。

3.根據權利要求1所述的Micro-LED巨量轉移的結構，其特征在于，所述高分子透明薄膜拉伸層的材料是PI、PE、PET、PEN、PVC、BOPP或BOPS的一種或數種；

所述高分子透明薄膜拉伸層的透光率達到80％以上。

4.根據權利要求1所述的Micro-LED巨量轉移的結構，其特征在于，所述臨時鍵合膠層、高分子透明薄膜拉伸層在拉力作用下可均勻變形，厚度分別為1μm-1000μm、1μm-1000μm。

5.一種使用權利要求1中結構的Micro-LED巨量轉移的方法，其特征在于，包括如下步驟：

a)利用多層拾取膜結構將晶圓上的芯片轉移到撕去保護膜的臨時鍵合膠上，每次轉移多層膜上粘附有一片或多片晶圓上的芯片；

b)根據芯片放置的要求將多層拾取膜進行均勻擴張拉伸，增加芯片之間的間隔，補償承載基板上芯片焊盤之間的距離；

c)將多層膜上調整好位置的芯片與承載基板上的焊盤對準，從多層膜上方采用設定好圖案的激光照射，使芯片脫離臨時鍵合膠表面，轉移到承載基板的焊盤上，此時即完成單色Micro-LED芯片的轉移；

d)采用上述a)、b)、c)的方法可以完成同一個發光單元三原色Micro-LED芯片的放置。

6.根據權利要求5所述的Micro-LED巨量轉移的方法，其特征在于，所述巨量轉移方法同樣可用于其他類型微小尺寸芯片的轉移或問題芯片的分離轉移。