[發明專利]一種基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結

在審

• 申請號: 201811490932.3
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109560121A
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 劉凱;王天堃
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結，包括N型半導體，以及與N型半導體相連的金屬體，所述N型半導體的上表面設置有相互間隔的左旋結構陣列、右旋結構陣列，通過改變N型半導體的局部溫度，從而使得N型半導體形成一個溫度梯度，使得N型半導體內部的載流子發生定向移動，從而形成一個微電流，達到調控肖特基結的肖特基勢壘的目的，本專利申請的技術方案通過圓偏振光產生熱場或者直接采用熱場調節吸收率，使得N型半導體的局部溫度不同，實現了雙場調控的方式，而且比較容易進行控制。

技術領域

本發明涉及電子器件技術領域，具體涉及一種基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結。

背景技術

肖特基結是一種簡單的金屬與半導體的交界面，它與PN結相似，具有非線性阻抗特性。1938年德國的W.H.肖特基提出理論模型，對此特性作了科學的解釋，故后來把這種金屬與半導體的交界面稱為肖特基結或肖特基勢壘。

不同金屬與不同種類的半導體接觸時，具有不同的肖特基勢壘高度。勢壘高度隨外加電壓變化。當金屬接正電壓時,空間電荷區中的電場減小,勢壘降低，載流子容易通過；反之勢壘升高，載流子不易通過。因此肖特基結具有單向導電的整流特性。與PN結相比，肖特基結電流輸運的顯著特點是多數載流子起主要作用，因此電荷儲存效應小，反向恢復時間很短。肖特基結的電流-電壓和電容-電壓特性與PN結的相似，但肖特基結的電流-電壓曲線的正向開啟電壓較低，正向曲線的斜率較大，反向擊穿電壓較低。

但是，現有的肖特基結在調控肖特基勢壘的方式方面，比較單一，這極大的限制了肖特基結的功能應用。

發明內容

針對上述問題，本發明的目的是解決現有的肖特基結在調控肖特基勢壘的方式方面，比較單一，這極大的限制了肖特基結的功能應用的問題。

為此，本發明提供了一種基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結，包括N型半導體，以及與N型半導體相連的金屬體，所述N型半導體的上表面設置有相互間隔的左旋結構陣列、右旋結構陣列。

所述N型半導體與金屬體相連的側面為一斜面。

所述左旋結構陣列的下方設置有多個第一孔洞，右旋結構陣列的下方設置有多個第二孔洞。

所述第二孔洞的深度與第一孔洞的深度不同。

所述N型半導體的上表面為一斜面。

N型半導體內部設置有導熱帶。

導熱帶為石墨烯制成。

所述N型半導體還連接有第一電極，所述金屬體還連接有第二電極。

本發明的有益效果：本發明提供的這種基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結，解決現有的肖特基結在調控肖特基勢壘的方式方面，比較單一，這極大的限制了肖特基結的功能應用的問題，通過改變N型半導體的局部溫度，從而使得N型半導體形成一個溫度梯度，使得N型半導體內部的載流子發生定向移動，從而形成一個微電流，達到調控肖特基結的肖特基勢壘的目的，本專利申請的技術方案通過圓偏振光產生熱場或者直接采用熱場調節吸收率，使得N型半導體的局部溫度不同，實現了雙場調控的方式，而且比較容易進行控制。

以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。

附圖說明

圖1是基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結的結構示意圖一。

圖2是基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結的結構示意圖二。

圖3是基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結的結構示意圖三。

圖4是基于圓偏振光、熱場雙調控方式的肖特基結的結構示意圖四。

圖5是左旋結構陣列的結構示意圖。