[發(fā)明專利]發(fā)光二極管器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811486651.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN110034149A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴水斌;丁有光;崔新逸;李俊杰;金湘甲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 董婷;尹淑梅

公開了一種發(fā)光二極管器件，所述發(fā)光二極管器件包括：薄膜晶體管基底，具有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；第一電極和第二電極，位于薄膜晶體管基底上；第一鈍化圖案，位于第一電極與第二電極之間；多個(gè)微型發(fā)光二極管，位于第一鈍化圖案上；第一橋接圖案，位于微型發(fā)光二極管上并且將第一電極電連接到微型發(fā)光二極管；以及第二橋接圖案，位于第一橋接圖案上并且將第二電極電連接到微型發(fā)光二極管，其中，每個(gè)微型發(fā)光二極管的每個(gè)側(cè)壁與第一鈍化圖案的每個(gè)側(cè)壁形成同一平面。

本申請(qǐng)要求于2017年12月6日提交的第10-2017-0166827號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的多方面涉及一種包括發(fā)光二極管的器件和一種制造該器件的方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管是通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為諸如紅外光、可見光等的光的器件。發(fā)光二極管用于家用電器、遠(yuǎn)程控制器、電子指示牌和各種自動(dòng)化裝置中，并且它們的應(yīng)用范圍正逐漸擴(kuò)展。

此外，正在進(jìn)行嘗試將發(fā)光二極管應(yīng)用于顯示裝置。例如，正在進(jìn)行嘗試將發(fā)光二極管用作顯示裝置的背光或者通過將發(fā)光二極管減小到能夠顯示圖像的像素的微小尺寸來實(shí)現(xiàn)自發(fā)光顯示裝置。

因此，利用可集成有多個(gè)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，以便在減小發(fā)光二極管的尺寸的同時(shí)確保足夠的亮度以用于各種類型裝置中。

然而，為了使發(fā)光二極管小型化并且然后集成，發(fā)光體與用于將電壓施加到發(fā)光體的電極或布線之間的連接結(jié)構(gòu)應(yīng)當(dāng)是高度可靠的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的多方面涉及一種具有在發(fā)光體與連接到發(fā)光體的電極之間的可靠的連接結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管器件。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的多方面還涉及一種制造具有在發(fā)光體與連接到發(fā)光體的電極之間的可靠的連接結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管器件的方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，提供了一種發(fā)光二極管器件，該發(fā)光二極管器件包括：薄膜晶體管基底，具有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；第一電極和第二電極，位于薄膜晶體管基底上；第一鈍化圖案，位于第一電極與第二電極之間；多個(gè)微型發(fā)光二極管，位于第一鈍化圖案上；第一橋接圖案，位于第一電極上并且將第一電極電連接到微型發(fā)光二極管；以及第二橋接圖案，位于第二電極上并且將第二電極電連接到微型發(fā)光二極管，其中，每個(gè)微型發(fā)光二極管的每個(gè)側(cè)壁與第一鈍化圖案的相應(yīng)的側(cè)壁形成同一平面。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)微型發(fā)光二極管中的每個(gè)微型發(fā)光二極管具有圓柱形形狀，并且包括對(duì)應(yīng)于頂表面的第一側(cè)壁和對(duì)應(yīng)于底表面的第二側(cè)壁。

在一些實(shí)施例中，第一側(cè)壁接觸第一橋接圖案，第二側(cè)壁接觸第二橋接圖案。

在一些實(shí)施例中，第一橋接圖案沿所述多個(gè)微型發(fā)光二極管中的每個(gè)微型發(fā)光二極管的側(cè)壁和第一鈍化圖案的側(cè)壁延伸。

在一些實(shí)施例中，第二橋接圖案沿所述多個(gè)微型發(fā)光二極管中的每個(gè)微型發(fā)光二極管的側(cè)壁和第一鈍化圖案的側(cè)壁延伸。

在一些實(shí)施例中，發(fā)光二極管器件還包括障礙肋狀件，障礙肋狀件位于薄膜晶體管基底上并位于第一電極和第二電極下方。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)微型發(fā)光二極管中的每個(gè)微型發(fā)光二極管包括發(fā)光材料和圍繞發(fā)光材料并具有圓柱形形狀的保護(hù)層。

在一些實(shí)施例中，發(fā)光材料具有順序地布置有p型半導(dǎo)體層、中間層和n型半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，第一側(cè)壁暴露p型半導(dǎo)體層，且第二側(cè)壁暴露n型半導(dǎo)體層。

在一些實(shí)施例中，第一電極和第二電極包括彼此平行地交替布置的細(xì)電極線。

在一些實(shí)施例中，第一鈍化圖案位于細(xì)電極線之間。