[發(fā)明專利]一種二氧化鈰納米棒及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811486302.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109536903A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 安濤;竇春月;鞠金寧;魏文龍;紀(jì)全增 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 長(zhǎng)春大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C23C14/35 | 分類號(hào)： | C23C14/35;C23C14/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 劉奇 |
| 地址： | 130000 *** | 國(guó)省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二氧化鈰 納米棒 制備 磁控濺射 入射 制備方法和應(yīng)用 納米材料制備 混合氣氛 最大接觸 單晶片 接觸角 三棱錐 靶材 襯底 | ||
1.一種二氧化鈰納米棒的制備方法，包括以下步驟：
在Ar和O2的混合氣氛中，以Si(100)單晶片作為襯底，以Ce作為靶材，進(jìn)行掠入射磁控濺射，得到二氧化鈰納米棒。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Ar和O2的體積比為(25～35)：10。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掠入射磁控濺射的掠射角為45～55°。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掠入射磁控濺射的壓強(qiáng)為0.8～2Pa。
5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掠入射磁控濺射的溫度為200～600℃。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掠入射磁控濺射的射頻功率為90～110W，濺射時(shí)間為80～180分鐘。
7.權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的二氧化鈰納米棒，其特征在于，所述二氧化鈰納米棒與水的接觸角≥107.5°。
8.權(quán)利要求7所述的二氧化鈰納米棒在制備疏水陶瓷材料中的應(yīng)用。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
