[發明專利]半導體制造設備及半導體制造方法

有效

• 申請號: 201811486095.7
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN110323151B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 林含諭;詹易叡;李芳葦;林立德;林斌彥;林執中
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/311;H01L21/762
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體制造設備，包括：

一加工腔室，用于進行蝕刻；

一基板平臺，整合于該加工腔室中，且配置為用以固定一半導體晶圓；

一氣體分配板，整合于該加工腔室中；

一反射鏡，配置于該加工腔室內，用于將來自一加熱機構的熱能朝該半導體晶圓反射，其中該反射鏡位于側壁上；以及

該加熱機構，嵌入于該加工腔室中，且該加熱機構能被操作以執行一烘烤工藝，來移除在所述蝕刻的期間產生的一副產物，其中該加熱機構水平地設置于該氣體分配板的一水平部分和該反射鏡之間。

2.如權利要求1所述的半導體制造設備，其中該加熱機構包括一紅外燈、一微波源以及一閃光燈單元的其中一者。

3.如權利要求1所述的半導體制造設備，其中該加熱機構具有在該基板平臺周圍的一彎曲形狀。

4.如權利要求3所述的半導體制造設備，其中該加熱機構以一環狀的方式配置。

5.如權利要求3所述的半導體制造設備，其中該加熱機構配置于該加工腔室的多個上邊緣上，且該反射鏡以一環狀的方式配置。

6.如權利要求1所述的半導體制造設備，其中該加工腔室還包括：

一第一化學品輸送單元，配置并能操作為用以輸送氟化氫；以及

一第二化學品輸送單元，配置并能操作為用以輸送氨氣，其中該加工腔室能被操作以蝕刻氧化硅。

7.如權利要求6所述的半導體制造設備，其中該反射鏡包括一圓柱體，該圓柱體包括具有一紋理圖案的一內表面，該紋理圖案具有與該圓柱體的圓周對齊的多個圓周脊。

8.一種半導體制造設備，包括：

一加工腔室，用于執行一蝕刻工藝以移除一介電材料，其中該加工腔室具有一側壁；

一基板平臺，整合于該加工腔室中，且配置為用以固定一半導體晶圓；

一加熱機構，嵌入于該加工腔室中，且該加熱機構能被操作以執行一烘烤工藝，來移除在該蝕刻工藝期間產生的一副產物，其中該加熱機構包括一紅外燈及一微波源的其中一者；

一反射鏡，整合于該加工腔室內，用于將來自該加熱機構的熱能朝該半導體晶圓反射，其中該反射鏡位于該側壁上；以及

一氣體分配板，整合于該加工腔室內，用于將一化學氣體輸送至該半導體晶圓以進行該蝕刻工藝，該氣體分配板具有一外邊緣朝向該側壁，其中該加熱機構整體位于該氣體分配板的該外邊緣和該側壁之間，且該加熱機構的至少一部分位于該氣體分配板下方。

9.如權利要求8所述的半導體制造設備，其中該紅外燈具有介于2800nm至3200nm的范圍內的一發射波長。

10.如權利要求8所述的半導體制造設備，其中該加熱機構在該基板平臺周圍具有一彎曲形狀，且該反射鏡包括具有一紋理圖案的一內表面。

11.如權利要求10所述的半導體制造設備，其中該加熱機構以一環狀的方式配置。

12.如權利要求10所述的半導體制造設備，其中該加熱機構配置于該加工腔室的多個上邊緣上，且該反射鏡以一環狀的方式配置。

13.如權利要求8所述的半導體制造設備，還包括：

第一化學品輸送單元，與該氣體分配板整合在一起，并能操作以輸送氟化氫；以及

第二化學品輸送單元，與該氣體分配板整合在一起，并能操作以輸送氨氣。

14.如權利要求13所述的半導體制造設備，其中該第一化學品輸送單元及該第二化學品輸送單元的至少其中一者能切換以輸送氫氣、氬氣及氮氣的其中一者。