[發(fā)明專利]晶圓缺陷的感測系統(tǒng)及感測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811485836.X | 申請日: | 2018-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN110323148B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉晏宏;楊明耀;陳哲夫 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/687 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 缺陷 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種晶圓缺陷的感測系統(tǒng),包括:
一定向傳感器,配置以在一晶圓的一斜角上探測一定向基準(zhǔn)部;
一基座,配置以圍繞一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)該晶圓,以允許該定向傳感器探測該定向基準(zhǔn)部,并將該定向基準(zhǔn)部放置于一預(yù)定的定向位置,其中該基座具有一開口,該旋轉(zhuǎn)軸通過該開口;
多個第一缺陷傳感器,配置以在該基座旋轉(zhuǎn)該晶圓時沿該晶圓的一表面探測一晶圓缺陷,且所述多個第一缺陷傳感器的其中一者設(shè)置于該開口中,所述多個第一缺陷傳感器中的另一者設(shè)置于該開口之外;
一第二缺陷傳感器,配置以沿該晶圓的該斜角探測該晶圓缺陷;
多個第三缺陷傳感器,配置以沿該晶圓的一頂部探測該晶圓缺陷,其中所述多個第一缺陷傳感器在該晶圓上的一掃描區(qū)域與所述多個第三缺陷傳感器在該晶圓上的一掃描區(qū)域重疊;以及
一中心傳感器,配置以通過探測該晶圓上的一中心基準(zhǔn)部來探測該晶圓是否定心于該基座上。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷的感測系統(tǒng),其中該基座被配置以支撐該晶圓的一底部,且該第一缺陷傳感器被配置以沿該晶圓的該底部探測該晶圓缺陷。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷的感測系統(tǒng),其中該晶圓缺陷為裂縫、變色、刮痕、剝離及碎片的至少其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓缺陷的感測系統(tǒng),其中該定向基準(zhǔn)部為一缺口或一平面。
5.一種晶圓缺陷的感測系統(tǒng),包括:
一定向傳感器,配置以在一晶圓的一斜角上探測一定向基準(zhǔn)部;
一基座,配置以圍繞一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)該晶圓,以允許該定向傳感器探測該定向基準(zhǔn)部,并將該定向基準(zhǔn)部放置于一預(yù)定的定向位置,其中該基座具有一開口,該旋轉(zhuǎn)軸通過該開口;
多個第一缺陷傳感器,配置以在該基座旋轉(zhuǎn)該晶圓時沿該晶圓的一表面探測一晶圓缺陷,且所述多個第一缺陷傳感器的其中一者設(shè)置于該開口中,所述多個第一缺陷傳感器中的另一者設(shè)置于該開口之外;
一第二缺陷傳感器,配置以沿該晶圓的該斜角探測該晶圓缺陷;
多個第三缺陷傳感器,配置以沿該晶圓的一頂部探測該晶圓缺陷,其中所述多個第一缺陷傳感器在該晶圓上的一掃描區(qū)域與所述多個第三缺陷傳感器在該晶圓上的一掃描區(qū)域重疊;
一中心傳感器,配置以通過探測該晶圓上的一中心基準(zhǔn)部來探測該晶圓是否定心于該基座上;以及
一機械手臂,配置以將該晶圓擺放于該基座上,以及當(dāng)該定向基準(zhǔn)部位于該預(yù)定的定向位置時,從該基座移除該晶圓。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓缺陷的感測系統(tǒng),其中該第一缺陷傳感器被配置以根據(jù)沿該表面的一非均勻性來探測該晶圓缺陷。
7.如權(quán)利要求5所述的晶圓缺陷的感測系統(tǒng),其中該基座被配置以將該晶圓旋轉(zhuǎn)360度。
8.如權(quán)利要求5所述的晶圓缺陷的感測系統(tǒng),其中該基座被配置以支撐該晶圓的一底部,且該第一缺陷傳感器被配置以沿該晶圓的該底部探測該晶圓缺陷。
9.一種晶圓缺陷的感測方法,包括:
利用一基座圍繞一旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)一晶圓,其中該基座具有一開口,該旋轉(zhuǎn)軸通過該開口;
在該晶圓的一斜角上探測一定向基準(zhǔn)部;
根據(jù)該定向基準(zhǔn)部,利用該基座旋轉(zhuǎn)該晶圓至一預(yù)定的定向位置;
當(dāng)利用該基座旋轉(zhuǎn)該晶圓時,利用設(shè)置于該開口中和該開口之外的多個第一缺陷傳感器沿該晶圓的一底面掃描多個缺陷;
利用一第二缺陷傳感器沿該晶圓的該斜角掃描所述多個缺陷;
利用多個第三缺陷傳感器沿該晶圓的一頂面掃描所述多個缺陷,其中所述多個第一缺陷傳感器在該晶圓上的一掃描區(qū)域與所述多個第三缺陷傳感器在該晶圓上的一掃描區(qū)域重疊;以及
利用配置以探測該晶圓上的一中心基準(zhǔn)部的位置的一中心傳感器來探測該晶圓是否定心于該基座上。
10.如權(quán)利要求9所述的晶圓缺陷的感測方法,還包括利用一機械手臂將該晶圓移動至該基座。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





