[發(fā)明專利]可調(diào)諧諧振元件、濾波器電路和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811483160.0
• 申請(qǐng)日: 2018-12-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110034744A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H-J·蒂默;R·鮑德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/54
• 分類號(hào): H03H9/54;H03H9/205
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱;郭星

1.一種RF集成電路濾波器，包括：

襯底；

絕緣層，被布置在所述襯底上；

多個(gè)濾波器諧振器，被布置在所述絕緣層中，所述絕緣層包括圖案化頂電極層、圖案化壓電層和圖案化底電極層，其中所述多個(gè)濾波器諧振器中的至少兩個(gè)濾波器諧振器利用所述圖案化頂電極層被耦合在一起；

聲學(xué)耦合層，被布置在所述多個(gè)濾波器諧振器上；以及

多個(gè)調(diào)諧諧振器，被布置所述聲學(xué)耦合層上并且對(duì)應(yīng)地位于所述多個(gè)濾波器諧振器中的每個(gè)濾波器諧振器上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，還包括：通孔，所述通孔穿過(guò)所述聲學(xué)耦合層，以提供對(duì)所述多個(gè)濾波器諧振器中的至少一個(gè)濾波器諧振器的RF輸入訪問(wèn)或RF輸出訪問(wèn)中的至少一項(xiàng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，還包括：通孔，所述通孔穿過(guò)所述聲學(xué)耦合層和所述絕緣層，以提供對(duì)所述多個(gè)濾波器諧振器中的至少一個(gè)濾波器諧振器的接地訪問(wèn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，其中所述調(diào)諧諧振器中的至少一個(gè)調(diào)諧諧振器的頂電極被配置為提供對(duì)調(diào)諧電路的訪問(wèn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的RF集成電路濾波器，其中所述調(diào)諧電路包括可調(diào)諧或可編程的可變電容器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，其中所述調(diào)諧諧振器中的至少一個(gè)調(diào)諧諧振器的底電極被配置為提供對(duì)調(diào)諧電路的訪問(wèn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的RF集成電路濾波器，其中所述調(diào)諧電路包括可調(diào)諧或可編程的可變電容器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，還包括：被分別耦合至所述多個(gè)調(diào)諧諧振器的多個(gè)調(diào)諧電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，還包括：被耦合至所述多個(gè)調(diào)諧諧振器的多個(gè)調(diào)諧電路，其中每個(gè)調(diào)諧電路包括可變電容器和電感器。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RF集成電路濾波器，其中所述調(diào)諧諧振器中的至少一個(gè)調(diào)諧諧振器的頂電極和底電極被配置為：提供對(duì)調(diào)諧電路的第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)的對(duì)應(yīng)訪問(wèn)。

11.一種RF濾波器裝置，包括：

信號(hào)輸入；

信號(hào)輸出；以及

諧振器元件，被耦合在所述信號(hào)輸入與所述信號(hào)輸出之間，其中所述諧振器元件包括：

第一諧振器，

在所述第一諧振器上方的第二諧振器，其中所述第二諧振器被聲學(xué)耦合至所述第一諧振器，

在所述第一諧振器下方的第三諧振器，其中所述第三諧振器被聲學(xué)耦合至所述第一諧振器，

被耦合至第二諧振器的第一調(diào)諧電路；以及

被耦合至所述第三諧振器的第二調(diào)諧電路。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的RF濾波器裝置，其中所述第一諧振器、所述第二諧振器和所述第三諧振器的阻抗是匹配的。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的RF濾波器裝置，其中所述RF濾波器裝置包括層堆疊，并且所述第一諧振器、所述第二諧振器和所述第三諧振器在所述層堆疊中的面積是匹配的。