[發(fā)明專利]一種垂直腔面發(fā)射激光器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811477564.9 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109524878B | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳柱元;羅玉輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深亮智能技術(shù)（中山）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/183 | 分類號(hào)： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 王洪娟;冼俊鵬 |
| 地址： | 528400 廣東省中山市*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化限制層 間隔層 襯底 垂直腔面發(fā)射激光器 反射鏡 基板 低寄生電容 光學(xué)損耗 漸變間隔 依次層疊 低能耗 源區(qū)層 單模 | ||
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，包括襯底(100)，在襯底(100)上依次層疊有基板(101)、底部n型DBR反射鏡(102)、第一氧化限制層(104)、n型引導(dǎo)間隔層(105)、有源區(qū)層(106)、p型漸變間隔層(107)、第二氧化限制層(108)、第一間隔層(109)、第三氧化限制層(110)、第二間隔層(111)、第四氧化限制層(112)、第三間隔層(113)、第五氧化限制層(114)、第四間隔層(115)、第六氧化限制層(116)、第五間隔層(117)、第七氧化限制層(118)、第六間隔層(119)、第八氧化限制層(120)、頂部p型DBR反射鏡(121)、p型接觸層(122)和p側(cè)電極(123)；在襯底(100)遠(yuǎn)離基板(101)的一面設(shè)有n側(cè)電極；
所述的底部n型DBR反射鏡(102)包括多個(gè)第一折射率層和多個(gè)第二折射率層，所述的第一折射率層和第二折射率層均為AlGaAs層；所述的第一折射率層的折射率低于第二折射率層的折射率；
所述的有源區(qū)層(106)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的波腹區(qū)域，所述的有源區(qū)層(106)包括多個(gè)量子阱層，所述的量子阱層為InAlGaAs層；
所述的第一氧化限制層(104)設(shè)有第一電流注入?yún)^(qū)域，所述的第一電流注入?yún)^(qū)域的直徑范圍為9-14μm；所述的第一氧化限制層(104)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第二氧化限制層(108)設(shè)有第二電流注入?yún)^(qū)域，所述的第二電流注入?yún)^(qū)域的直徑等于第一電流注入?yún)^(qū)域的直徑；所述的第二氧化限制層(108)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第三氧化限制層(110)設(shè)有第三電流注入?yún)^(qū)域，所述的第三電流注入?yún)^(qū)域的直徑小于第二電流注入?yún)^(qū)域的直徑6-9μm；所述的第三氧化限制層(110)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第四氧化限制層(112)設(shè)有第四電流注入?yún)^(qū)域，所述的第四電流注入?yún)^(qū)域的直徑等于第三電流注入?yún)^(qū)域的直徑；所述的第四氧化限制層(112)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第五氧化限制層(114)設(shè)有第五電流注入?yún)^(qū)域，所述的第五電流注入?yún)^(qū)域的直徑范圍為14-20μm，所述的第五氧化限制層(114)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第六氧化限制層(116)設(shè)有第六電流注入?yún)^(qū)域，所述的第六電流注入?yún)^(qū)域的直徑范圍為14-20μm，所述的第六氧化限制層(116)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第七氧化限制層(118)設(shè)有第七電流注入?yún)^(qū)域，所述的第七電流注入?yún)^(qū)域的直徑范圍為14-20μm，所述的第七氧化限制層(118)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的第八氧化限制層(120)設(shè)有第八電流注入?yún)^(qū)域，所述的第八電流注入?yún)^(qū)域的直徑范圍為14-20μm，所述的第八氧化限制層(120)設(shè)置在垂直腔面發(fā)射激光器形成的光駐波的節(jié)點(diǎn)位置；
所述的頂部p型DBR反射鏡(121)包括多個(gè)第三折射率層和多個(gè)第四折射率層，所述的第三折射率層和第四折射率層均為AlGaAs層，所述第三折射率層的折射率低于第四折射率層的折射率；
還包括自頂部p型DBR反射鏡(121)向底部n型DBR反射鏡(102)延伸的臺(tái)面結(jié)構(gòu)(130)，在所述的臺(tái)面結(jié)構(gòu)(130)的至少部分側(cè)面設(shè)有介電涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，在所述的第一氧化限制層(104)、第二氧化限制層(108)、第三氧化限制層(110)、第四氧化限制層(112)、第五氧化限制層(114)、第六氧化限制層(116)、第七氧化限制層(118)、第八氧化限制層(120)中的至少一層設(shè)有環(huán)形氧化注入?yún)^(qū)域，所述的環(huán)形氧化注入?yún)^(qū)域設(shè)有用于限制有源區(qū)層(106)中電流流動(dòng)的電流限制層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，在所述的第一氧化限制層(104)、第二氧化限制層(108)、第三氧化限制層(110)、第四氧化限制層(112)、第五氧化限制層(114)、第六氧化限制層(116)、第七氧化限制層(118)、第八氧化限制層(120)中的至少一層設(shè)有第一環(huán)形氧化限制區(qū)域，所述的第一環(huán)形氧化限制區(qū)域設(shè)有用于限制有源區(qū)層(106)中產(chǎn)生的光的光學(xué)限制層。
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