[發(fā)明專利]一種微米級氧化鈷立方體的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811477445.3 | 申請日： | 2018-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN109695042A | 公開（公告）日： | 2019-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張瑞;任鐵真;李擁軍;岑向超;劉曉燕;閆升;石雙;馬飛龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧夏寶塔化工中心實驗室（有限公司） |
| 主分類號： | C25B1/00 | 分類號： | C25B1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 750002 寧夏回族自治*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鈷 微米級 制備 沉積 烘箱 次亞磷酸鈉 低共熔溶劑 恒電位沉積 三電極體系 磁力攪拌 反復(fù)清洗 晶體顆粒 均一溶液 氯化膽堿 生長機理 晶體的 乙二醇 鈷源 配置 研究 | ||
1.一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）按摩爾比2:1稱取一定質(zhì)量的氯化膽堿和乙二醇，在80-100℃的烘箱中加熱，形成均一透明的混合溶液；
（2）按一定比例加入磷源和鈷源，常溫磁力攪拌直至形成均一溶液；
（3）以上述溶液為電解液，以泡沫鎳為載體，三電極體系以恒電位-1.4V沉積3h；
（4）沉積結(jié)束后將負載有樣品的基底用去離子水反復(fù)洗滌，于60℃烘箱中干燥12h，得到微米級氧化鈷立方體。
2.如權(quán)利要求1所述的一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于，所述的步驟（1）制備的電解液為低共熔溶劑體系。
3.如權(quán)利要求1所述的一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于，所述的步驟（2）中的磷源和鈷源分別為一水合次亞磷酸鈉和六水合氯化鈷，硝酸鹽，醋酸鹽等可溶性鹽。
4.如權(quán)利要求1所述的一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于，所述的微米級氧化鈷的粒徑大于等于3μm。
5.如權(quán)利要求1所述的一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于，所述的微米級氧化鈷的形貌為立方體。
6.如權(quán)利要求1所述的一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于，所述的三電極體系恒電位沉積，Ag/AgCl和Pt絲分別為參比電極和對電極，載體為泡沫鎳和鈦箔，沉積電壓范圍為-1.4V-1.7V。
7.如權(quán)利要求1所述的一種微米級氧化鈷立方體的制備方法，其特征在于，所述的沉積時間為5~180min。
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