[發(fā)明專利]一種晶棒切片裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811477368.1
• 申請日: 2018-12-05
• 公開（公告）號: CN111267247A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王剛;沈偉民
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司;中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D7/00
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種晶棒切片裝置，其特征在于，包括：

電源；

電解池，用于存放電解質(zhì)；

陽極，所述陽極包括晶棒支撐裝置及晶棒，所述晶棒支撐裝置分別與所述電源及所述晶棒電性連接；

陰極，容置于所述電解池內(nèi)，與所述電源電性連接，所述陰極包括至少一線狀電極，所述線狀電極的長度方向與所述晶棒的軸向交叉設(shè)置，并且所述線狀電極與所述晶棒不接觸，當(dāng)在所述陽極和所述陰極之間接通所述電源時通過所述線狀電極與所述晶棒間的相對運(yùn)動實(shí)現(xiàn)晶棒切片；其中，

所述陰極還包括控制所述線狀電極沿著所述線狀電極的長度方向移動的線狀電極支撐裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶棒切片裝置，其特征在于，所述線狀電極支撐裝置還控制所述線狀電極沿著所述晶棒的軸向和/或所述晶棒的徑向移動。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶棒切片裝置，其特征在于，所述線狀電極支撐裝置包括至少兩個導(dǎo)輥，所述導(dǎo)輥轉(zhuǎn)動帶動所述線狀電極沿著所述線狀電極的長度方向移動。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶棒切片裝置，其特征在于，所述導(dǎo)輥上設(shè)置有導(dǎo)線槽，相鄰所述導(dǎo)線槽之間的距離設(shè)置為所述晶棒經(jīng)過切片形成的晶圓的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶棒切片裝置，其特征在于，相鄰所述導(dǎo)線槽之間的距離的范圍為100μm-1500μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶棒切片裝置，其特征在于，所述導(dǎo)輥的材料包括石墨、碳包覆的金屬材料和導(dǎo)電陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶棒切片裝置，其特征在于，還包括PH控制裝置，用以控制所述電解池內(nèi)的PH值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶棒切片裝置，其特征在于，還包括溫度控制裝置，用以控制所述陰極、所述陽極和所述電解質(zhì)的溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶棒切片裝置，其特征在于，還包括氫氣收集裝置，用以收集所述陰極上電化學(xué)反應(yīng)生成的氫氣。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶棒切片裝置，其特征在于，還包括電解質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)，用以循環(huán)并補(bǔ)充所述電解池中的所述電解質(zhì)。