[發明專利]一種氮化鎵材料摻雜鐵元素的方法

有效

• 申請號: 201811475672.2
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN109887838B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發明（設計）人: 尹甲運;房玉龍;王波;張志榮;郭艷敏;李佳;蘆偉立;馮志紅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/223;C23C16/34;C23C16/455
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種氮化鎵材料摻雜鐵元素的方法，其特征在于，由以下步驟組成：

在襯底上生長GaN材料，并在生長所述GaN材料時通入鐵元素；

達到第一預設條件時停止通入所述鐵元素，開始通入三甲基銦；所述第一預設條件為所述氮化鎵材料厚度大于0.4微米；具體為：通入所述鐵元素2300秒后，停止通入所述鐵元素，開始通入三甲基銦的流量大于5sccm；

達到第二預設條件時，結束生長所述GaN材料，并停止通入所述三甲基銦；所述第二預設條件為開始生長AlN/AlGaN異質結之前；

其中，生長GaN材料時，使用氨氣作為氮源，將氫氣作為載氣，將三甲基鎵或三乙基鎵作為鎵源，生長溫度為1250℃，生長壓力為100mbar～1000mbar；在停止通入所述鐵元素時通入所述三甲基銦，銦原子會在所述GaN表面擠占鐵原子位置，降低表面Fe元素的殘留，加速殘余Fe元素的解析。

2.如權利要求1所述的氮化鎵材料摻雜鐵元素的方法，其特征在于，所述鐵元素以氫氣為載體通入反應室中。

3.如權利要求1所述的氮化鎵材料摻雜鐵元素的方法，其特征在于，所述襯底為氮化鎵、藍寶石、SiC、Si、AlN或金剛石。

4.如權利要求1所述的氮化鎵材料摻雜鐵元素的方法，其特征在于，所述鐵元素的生長源為有機鐵。