[發(fā)明專利]一種循環(huán)液體式吸頭,及其用于去除晶圓中微粒的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811474224.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109671650A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王通;許繼仁;林慶儒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 芯恩(青島)集成電路有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 青島高曉專利事務(wù)所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 付麗麗 |
| 地址: | 266000 山東省青島市黃島區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸頭 循環(huán)液體 晶圓表面 清洗液 晶圓 吸嘴 環(huán)形噴嘴 整個(gè)晶圓 圖案 去除 掃描 垂直對(duì)準(zhǔn) 清洗過(guò)程 清洗效果 圖案方向 移動(dòng)循環(huán) 噴嘴 有效地 刮傷 吸出 噴灑 嵌入 浸潤(rùn) 清洗 開口 移動(dòng) | ||
1.一種循環(huán)液體式吸頭,其特征在于,包括噴嘴和吸嘴,所述循環(huán)液體式吸頭用于晶圓清洗,所述噴嘴不斷向晶圓表面噴出液體,液體與微粒相互作用,緊接著,在外側(cè)壓力的作用下,所述吸嘴將噴出的液體吸走。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的循環(huán)液體式吸頭,其特征在于,吸嘴位于中心,環(huán)狀的噴嘴環(huán)形圍繞在吸嘴外側(cè),構(gòu)成一體式結(jié)構(gòu)的循環(huán)液體式吸頭。
3.一種權(quán)利要求2所述循環(huán)液體式吸頭用于清洗晶圓中微粒的方法,其特征在于,將所述循環(huán)液體式吸頭的吸嘴和環(huán)形噴嘴的開口垂直對(duì)準(zhǔn)晶圓表面,沿晶圓表面圖案方向掃描,過(guò)程中,環(huán)形噴嘴不斷將清洗液噴灑在晶圓表面,緊接著,在外側(cè)壓力的作用下,吸嘴將清洗液吸走,由清洗液浸潤(rùn)的微粒隨之去除,清洗過(guò)程中,移動(dòng)循環(huán)液體式吸頭或移動(dòng)晶圓,實(shí)現(xiàn)循環(huán)液體式吸頭對(duì)整個(gè)晶圓表面的掃描。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于清洗晶圓中微粒的方法,其特征在于,在循環(huán)液體式吸頭開始工作之前,確定清洗策略,具體包括以下步驟:
(1)晶圓檢測(cè)系統(tǒng)通過(guò)檢測(cè)出晶圓中微粒坐標(biāo),得到晶圓上微粒數(shù)和分布,然后將微粒坐標(biāo)導(dǎo)入垂直清洗系統(tǒng);
(2)垂直清洗系統(tǒng)將微粒分布圖與集成電路GDS中的特定區(qū)域進(jìn)行對(duì)比,確定禁止清洗區(qū)和可清洗區(qū),所述禁止清洗區(qū)是GDS中標(biāo)識(shí)出的關(guān)鍵部分;
(3)然后垂直清洗系統(tǒng)根據(jù)可清洗區(qū)的微粒分布,確定最佳清洗路線,根據(jù)可清洗區(qū)的微粒的密集程度,選擇清洗的強(qiáng)度和時(shí)間,最后垂直清洗系統(tǒng)根據(jù)指定的清洗策略控制循環(huán)液體式吸頭工作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于清洗晶圓中微粒的方法,其特征在于,所述清洗策略,包括清洗路線,以及某區(qū)域的清洗時(shí)間和清洗強(qiáng)度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于清洗晶圓中微粒的方法,其特征在于,所述晶圓檢測(cè)系統(tǒng)為表面缺陷掃描儀,垂直清洗系統(tǒng)分別與晶圓檢測(cè)系統(tǒng)和循環(huán)液體式吸頭連接,垂直清洗系統(tǒng)、晶圓檢測(cè)系統(tǒng)和循環(huán)液體式吸頭共同構(gòu)成負(fù)壓式清洗晶圓中微粒的裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





