[發(fā)明專利]一種基于主動補償?shù)母咝阅艽牌帘窝b置與方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811474117.8
• 申請日: 2018-12-04
• 公開（公告）號: CN109597010A
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 荀強;盛經(jīng)緯;何剴彥;羅深
• 申請（專利權(quán)）人: 北京昆邁生物醫(yī)學(xué)研究院有限公司
• 主分類號: G01R33/42
• 分類號: G01R33/42;A61B5/05
• 代理公司: 北京智沃律師事務(wù)所 11620
• 代理人: 李笑丹

1.一種基于主動補償?shù)母咝阅艽牌帘窝b置與方法，其特征在于：具體包括以下步驟：

步驟一，首先，搭建多層的磁屏蔽筒，由內(nèi)向外相鄰材料采用高導(dǎo)磁材料或高導(dǎo)磁材料與高導(dǎo)電材料混合搭配，并且每兩層之間采用無磁材料隔離填充，磁屏蔽筒兩側(cè)安裝可拆卸的端蓋，實現(xiàn)人體頭部或其他待測部位在磁屏蔽筒內(nèi)不同位置進(jìn)行測試；

第二步，然后，針對磁屏蔽筒的兩端關(guān)蓋、單端開蓋、兩端開蓋三種不同的磁屏蔽邊界條件，通過有限元仿真方法，分別設(shè)計小磁場系數(shù)的三維補償線圈，并將線圈繞制在同一線圈骨架上，同心裝配在磁屏蔽筒中；

第三步，最后，搭建高精度穩(wěn)場裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于主動補償?shù)母咝阅艽牌帘窝b置與方法，其特征在于：所述搭建高精度穩(wěn)場裝置的具體步驟包括：

S1、將磁強計放置于磁屏蔽筒內(nèi)，分別檢測兩端關(guān)蓋、單端開蓋、兩端開蓋不同狀態(tài)下的剩余磁場大??；

S2、將剩余磁場大小反饋給數(shù)字PID控制器，數(shù)字PID控制器驅(qū)動高精度電流源為對應(yīng)的三維補償線圈通電，產(chǎn)生與剩磁大小相等方向相反的磁場，使得磁屏蔽筒均勻區(qū)內(nèi)磁場接近零。

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于主動補償?shù)母咝阅艽牌帘窝b置與方法，其特征在于：所述磁屏蔽筒的層數(shù)為2-8層。

4.如權(quán)利要求1所述的一種基于主動補償?shù)母咝阅艽牌帘窝b置與方法，其特征在于：所述高導(dǎo)磁材料一般為坡莫合金，所述高導(dǎo)電材料一般為錳鋅鐵氧體，所述高導(dǎo)磁材料用于屏蔽地磁場，所述高導(dǎo)電材料用于屏蔽交流磁場。